佘思明

作品数：8被引量：5H指数：1
导出分析报告
供职机构：中南工业大学应用物理与热能工程系更多>>
发文主题：硅直拉硅氮半导体材料单晶硅更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《半导体技术》《稀有金属》更多>>
所获基金：国家重点实验室开放基金中国科学院科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-8
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
扩展电阻探针在硅材料研究上的应用
《半导体技术》1996年第6期35-37,共3页李冀东 施锦行 佘思明 
主要描述了扩展电阻探针在确定硅片电阻率的微区分布、硅片中施主态氧沉淀的微观分布，及经氧外扩散后，硅片表面区中间隙氧分布等方面的应用。
关键词：扩展电阻探针 硅 电阻率 氧施主 
硅中氮的电学行为的研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1996年第4期269-274,共6页佘思明 李冀东 廖平婴 
浙江大学硅材料国家重点实验室资助
用红外光谱等方法研究了硅中氮的电学行为．结果指出：氮对热施主无明显的促进和抑制作用；ＮＣＺＳｉ中不存在“热受主”，ＮＣＺＳｉ的电学性质上的特点是氮氧复合物施主；氮氧复合物及其施主呈现可逆性；ＮＣＺＳｉ的电阻率稳定化处...
关键词：硅 氮 电学行为 半导体材料 
氮和碳对洁净区宽度的影响
《中南矿冶学院学报》1993年第6期826-830,共5页佘思明 刘培东 
国家教委高等学校科学技术基金
氮与碳的存在,降低了产生氧沉淀的初始间隙氧浓度的阈值,使洁净区宽度缩小。
关键词：直拉硅 洁净区 杂质 半导体材料 
含氮CZ硅力学行为研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1993年第3期174-180,共7页石志仪 谢书银 佘思明 李立本 张锦心 
高纯硅及硅烷国家重点实验室基金
用抗弯强度方法测定不同含氮量的原生和经550℃,750℃及900℃不等时热处理后直拉硅(NCZ-Si)的力学性能变化,结合红外光谱分析热处理过程氧、氮含量及形态的改变,认为在含氮直拉硅中,氮是以聚集在位错周围的氮氧硅络合物及氮氧硅沉淀初...
关键词：单晶制备 含氮CZ硅 直拉硅 力学行为 
氮气氛直拉硅中氮氧复合物及其红外吸收
《中南矿冶学院学报》1991年第6期696-702,共7页刘培东 佘思明 廖平婴 董萍 
浙江大学高纯硅及硅烷国家重点开放实验室基金
本文分析了掺氮的CZ硅中与氮有关的七条红外吸收峰的形成,指出所谓的“氮氧复合物”实质上是在氮对-硅四面体基础上发展而成的氮对-硅-氧复合体。文章还分析了热处理后的掺氮CZ硅的红外吸收,由此找到了研究硅中氮氧相互作用的一种有效...
关键词：直接硅 氮氧 复合物 红外吸收 硅 
直拉法生长单晶硅熔体流动实验模拟(下)
《稀有金属》1991年第6期433-440,共8页程秋平 佘思明 
六、热对流及其与强迫对流的作用 (一)埚壁加热引起的热对流 ω_s=ω_c=0时,仅加热埚壁和冷却圆盘,液体产生自然对流环流。埚壁附近液体受热上浮,中心处圆盘下液体下沉。如图11所示。热对流强度由格拉晓夫数决定。
关键词：单晶硅 直拉法 熔体流动 实验模拟 
直拉法生长单晶硅熔体流动实验模拟(上)被引量：1
《稀有金属》1991年第5期364-370,共7页程秋平 佘思明 
本文从相似理论出发,导出了实验模拟直拉法生长单晶硅(CZ-Si)熔体流动状态所需满足的相似条件,并以此为根据,对CZ-Si熔体流动状态进行了实验模拟。恒温液体中的液流以液体柱的存在为特征;非恒温液体中液流是轴对称的。运用旋流理论对恒...
关键词：单晶硅 直拉法 熔体流动 实验模拟 
温场对CZ硅单晶氧含量和径向扩展电阻均匀性的影响被引量：1
《中南矿冶学院学报》1990年第1期96-102,共7页佘思明 
中国科学院科学基金
利用测量熔体温度、液流模拟、红外吸收和扩展电阻探针研究了温场对硅单晶的氧含量和径向扩展电阻均匀性的影响。高温场中整个熔体的温度梯度与重力方向一致,矮温场中只有上部熔体的温度梯度与重力方向一致,而下部熔体的温度梯度与重力...
关键词：温度场 硅 单晶 氧 晶体 生长 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部