直拉法生长单晶硅熔体流动实验模拟(上)  

作　　者：程秋平[1] 佘思明[2] 

机构地区：[1]长沙矿冶研究院 [2]中南工业大学

出　　处：《稀有金属》1991年第5期364-370,共7页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：本文从相似理论出发,导出了实验模拟直拉法生长单晶硅(CZ-Si)熔体流动状态所需满足的相似条件,并以此为根据,对CZ-Si熔体流动状态进行了实验模拟。恒温液体中的液流以液体柱的存在为特征;非恒温液体中液流是轴对称的。运用旋流理论对恒温液体中液柱的形成及其运用规律进行了理论分析。本文还研究了圆盘转速和坩埚转速对某些重要区域温度分布及其稳定性的影响。

关 键 词：单晶硅 直拉法 熔体流动 实验模拟 

分 类 号：TN304.053[电子电信—物理电子学]