石志仪

作品数：14被引量：19H指数：3
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供职机构：中南工业大学应用物理与热能工程系更多>>
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硅片力学行为与表面损伤被引量：2
《中南工业大学学报》1998年第4期344-346,共3页谢书银 石志仪 蔡爱军 李立本 张锦心 
硅材料国家重点实验室基金
研究了硅片力学行为与表面损伤的关系．结果表明，Ｍ２０金刚砂研磨使硅片表面产生损伤和微小裂纹，研磨硅片在常温工艺中容易破碎，机械强度较低；在高温工艺中容易弯曲或翘曲，抗形变能力差．研磨后化腐３０μｍ左右可使强度提高１倍...
关键词：抗弯强度 弯曲率 表面损伤 硅片 力学行为 
GB/T 15615-1995硅片抗弯强度测试方法研究
《半导体技术》1998年第1期47-49,共3页谢书银 石志仪 李冀东 
根据动能定理和薄板理论提出了一种新的脆性材料强度测试方法——圆片冲击法。通过当硅片较薄时偏离小挠度条件的实验校准，使该方法适用于各种厚度硅片的强度测量，进而制订了硅片抗弯强度测试方法的国家标准。
关键词：国家标准 硅片 抗弯强度 测试方法 集成电路 
硅片高温翘曲与常温机械强度被引量：5
《Journal of Semiconductors》1997年第9期710-713,共4页谢书银 石志仪 陈忠祥 张维连 
国家教委硅材料重点实验室基金
不同抗弯强度硅片高温弯曲度变化的实验结果表明，众多因素对抗弯强度和高温弯曲度的影响规律是一致的．高温翘曲度或弯曲度与抗弯强度有内在联系．抗弯强度不仅表示硅片在常温下的抗破碎能力，而且也反应了高温抗翘曲和弯曲能力．
关键词：硅片 高温翘曲 抗弯强度 实验 
高温工艺中硅片的翘曲被引量：3
《半导体技术》1997年第5期24-25,26,共3页谢书银 石志仪 陈中祥 
硅材料国家重点实验室基金
通过硅片高温热处理实验研究了热处理工艺和硅片表面状态对硅片高温弯曲度变化的影响，高温工艺中竖直装片引起的形变较小，研磨硅片经过适当化学腐蚀可明显降低高温翘曲。
关键词：硅片 热处理 弯曲 
热处理对硅片抗弯强度的影响被引量：2
《中国有色金属学报》1997年第1期169-171,共3页谢书银 石志仪 李冀东 董萍 
国家教委硅材料国家重点实验室基金
研究了热处理温度、时间及降温方式对不同氧、氮含量的氩气氛直拉硅（ＡＣＺ）及氮气氛直拉硅（ＮＣＺ）抗弯强度（σ）的影响规律。结果表明：硅氧络合物和氮硅氧络合物的生成使抗弯强度提高，沉淀的形成使强度下降。提出了既能消除热...
关键词：硅 抗弯强度 热处理 硅片 单晶硅 
硅片抗弯强度测试方法中小挠度问题研究
《中南工业大学学报》1996年第2期231-233,共3页谢书银 石志仪 
国家技术监督局资助
推导了圆片冲击法测试硅片抗弯强度时最大挠度的计算公式．通过薄硅片抗弯强度的测试实验，对因不符合小找度假设产生的误差进行了实验校准，并研究了挠度、厚度比ω／δ与校准系数Ｋ的关系．结果表明，符合小挠度假设的范围是ω／δ≤...
关键词：抗弯强度 小挠度 硅片 测试法 
氮气氛下直拉硅中氮含量的红外光谱测定被引量：2
《中国有色金属学报》1996年第2期42-44,共3页谢书银 石志仪 
硅材料国家重点实验室基金
提出了利用直拉硅中与氮有关的特征红外吸收峰９６３、９９６、１０８１－１及１０２７ｃｍ－１确定直拉硅中氮含量的计算公式，并进行了多种样品实测。该法克服了只用９６３ｃｍ－１峰测定直拉硅中氮使结果偏低的弊病，方法相对偏差为...
关键词：硅 氮 红外吸收光谱法 硅单晶 含量 
硅片的抗弯强度及其测量被引量：4
《Journal of Semiconductors》1995年第8期618-622,共5页谢书银 石志仪 
高纯硅国家重点实验室基金
研究了硅片抗弯强度，提出了一种圆片冲击定量测定硅片抗弯强度的方法，讨论了其准确度及精度并通过实验进行了偏离小挠度的校准．
关键词：半导体器件 硅片 抗弯强度 测量 
圆片冲击法测定硅片抗弯强度的研究被引量：3
《力学学报》1995年第3期380-384,共5页谢书银 石志仪 
提出了一种新的使用圆片试样及冲击加载的硅片抗弯强度测试方法，结合动能定理和薄板小挠度理论推导了抗弯强度的计算公式，测试结果准确，精度好。
关键词：抗弯强度 硅片 冲击载荷 弯曲试验 脆性材料 
硅片的抗弯强度及其与高温抗形变能力的关系被引量：1
《中南工业大学学报》1995年第2期261-265,共5页谢书银 石志仪 余思明 
国家教委硅材料国家重点实验室基金
通过实验系统地研究了硅中氧、氮、碳含量和状态以及硅片表面损伤对室温下硅片抗弯强度的影响规律，讨论了室温抗弯强度与高温抗形变能力之间的内在联系，提出了室温抗弯强度大小可以反映硅片高温抗形变能力的观点。
关键词：硅片 抗弯强度 抗变形能力 高温 
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