余思明

作品数：4被引量：10H指数：1
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供职机构：中南工业大学应用物理与热能工程系更多>>
发文主题：氧硅氧沉淀碳复合物更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
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硅片的抗弯强度及其与高温抗形变能力的关系被引量：1
《中南工业大学学报》1995年第2期261-265,共5页谢书银 石志仪 余思明 
国家教委硅材料国家重点实验室基金
通过实验系统地研究了硅中氧、氮、碳含量和状态以及硅片表面损伤对室温下硅片抗弯强度的影响规律，讨论了室温抗弯强度与高温抗形变能力之间的内在联系，提出了室温抗弯强度大小可以反映硅片高温抗形变能力的观点。
关键词：硅片 抗弯强度 抗变形能力 高温 
直拉硅中氮与氧的相互作用被引量：1
《中国有色金属学报》1995年第2期112-115,共4页刘培东 李立本 阙端麟 余思明 
应用红外光谱技术研究了ＣＺ硅中氮与氧的相互作用，实验发现硅中氮的行为不仅与热处理温度有关，而且与热处理时间、样品的热历史等因素有关，由此得出，硅中氮与氧的相互作用实际上分为三个阶段：（１）氮氧复合物的形成，（２）氮氧...
关键词：氮氧复合物 氧沉淀 硅 热处理 
硅中的氮氧复合物和碳氧复合物被引量：9
《Journal of Semiconductors》1992年第11期698-703,共6页刘培东 余思明 李立本 张锦心 阙端麟 
浙江大学高纯硅及硅烷国家重点实验室资助
前文[1]指出,硅中的氮氧复合物实质上是氮对-硅-氧复合体.本文运用这一结构模型预测了新的实验事实,并用实验进行了验证,同时分析了硅中的碳氧复合物,提出了硅中碳与氧,氮与氧相互作用的新见解.
关键词：硅 氮氧复合物 碳氧复合物 
重掺Sb硅单晶中氧沉淀的研究
《中南矿冶学院学报》1989年第4期452-457,共6页余思明 周福生 徐冬良 张烈华 
本文用化学腐蚀和透射电镜及其能谱分析研究了重掺Sb硅单晶中的氧沉淀。化学腐蚀结果表明,Sb的掺入有促进形核的作用,但其最大成核速率仍在750℃左右。随着退火时间的延长,沉淀密度首先增加,而后又下降。透射电镜观察到氧沉淀呈平行四...
关键词：锑 硅单晶 氧沉淀 半导体 缺陷 
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