硅中的氮氧复合物和碳氧复合物  

Nitrogen-Oxygen Complexes and Carbon-Oxygen Complexes in Silicon

作　　者：刘培东 余思明[1] 李立本[2] 张锦心[2] 阙端麟[2] 

机构地区：[1]中南工业大学应用物理系 [2]浙江大学半导体材料研究所,杭州310027

出　　处：《Journal of Semiconductors》1992年第11期698-703,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：浙江大学高纯硅及硅烷国家重点实验室资助

摘　　要：前文[1]指出,硅中的氮氧复合物实质上是氮对-硅-氧复合体.本文运用这一结构模型预测了新的实验事实,并用实验进行了验证,同时分析了硅中的碳氧复合物,提出了硅中碳与氧,氮与氧相互作用的新见解.A previous paper of the auther [1] indicated that the N-O complexes in silicon were infact N_2-Si-O compounds. This model is used in this paper to predict new facts which are thenverified by experiments. The C-O complexes in Silicon are also analysed and a new idea con-cerning the interactions between carbon or nitrogen and oxygen is put forward.

关 键 词：硅 氮氧复合物 碳氧复合物 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]