谢书银

作品数：19被引量：28H指数：3
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硅片化学腐蚀及其在电力半导体器件中的应用被引量：6
《电力电子技术》1999年第3期48-50,共3页谢书银 
按照电化学原理分析硅片化学腐蚀过程，阐述了择优与非择优腐蚀的机理，研究了一套硅片化腐新工艺。这些工艺在电力半导体器件生产中得到了成功的应用。
关键词：硅片 化学腐蚀 电力半导体器件 
硅片力学行为与表面损伤被引量：2
《中南工业大学学报》1998年第4期344-346,共3页谢书银 石志仪 蔡爱军 李立本 张锦心 
硅材料国家重点实验室基金
研究了硅片力学行为与表面损伤的关系．结果表明，Ｍ２０金刚砂研磨使硅片表面产生损伤和微小裂纹，研磨硅片在常温工艺中容易破碎，机械强度较低；在高温工艺中容易弯曲或翘曲，抗形变能力差．研磨后化腐３０μｍ左右可使强度提高１倍...
关键词：抗弯强度 弯曲率 表面损伤 硅片 力学行为 
硅片塑性形变与位错被引量：3
《稀有金属》1998年第3期208-211,共4页谢书银 袁鹏 万关良 李励本 张锦心 
硅材料国家重点实验室基金
通过１２００℃、１５ｈ急冷热处理实验，研究了硅中位错对高温塑性形变的影响及热处理过程中位错密度的变化。实验结果表明，硅中原有位错密度越大或热处理急冷温度越高，均使塑性形变更加严重。位错密度为０４～２×１０３ｃｍ－...
关键词：硅片 塑性形变 位错 热处理 
氧氮磷杂质对硅片高温形变的影响
《中南工业大学学报》1998年第1期58-61,共4页谢书银 王丙义 蔡爱军 李立本 张锦心 
硅材料国家重点实验室基金
通过模拟集成电路高温工艺的１２００℃，１．５ｈ后急冷热处理，研究了硅中氧、氮、磷３种杂质对硅片高温工艺过程中塑性形变的影响．实验结果表明，普通氩气氛下直拉单晶硅（ＡＣＺＳｉ）高温弯曲度变化只是含氧很少的区熔硅（ＦＺＳ...
关键词：氧氮磷杂质 硅片 高温形变 
硅片高温工艺与塑性形变被引量：1
《中国有色金属学报》1998年第2期291-294,共4页谢书银 万关良 李立本 张锦心 
硅材料国家重点实验室资助项目
为减小硅片高温工艺中的形变，通过仿硅器件在１２００℃热处理１．５ｈ高温工艺热处理实验，研究了装片方式、升温速率和急冷温度等工艺条件对硅片弯曲度变化的影响，实验结果表明硅片热处理中塑性形变主要是在急冷过程产生的，快速加...
关键词：硅片 高温工艺 塑性形变 热处理 
GB/T 15615-1995硅片抗弯强度测试方法研究
《半导体技术》1998年第1期47-49,共3页谢书银 石志仪 李冀东 
根据动能定理和薄板理论提出了一种新的脆性材料强度测试方法——圆片冲击法。通过当硅片较薄时偏离小挠度条件的实验校准，使该方法适用于各种厚度硅片的强度测量，进而制订了硅片抗弯强度测试方法的国家标准。
关键词：国家标准 硅片 抗弯强度 测试方法 集成电路 
硅片高温翘曲与常温机械强度被引量：5
《Journal of Semiconductors》1997年第9期710-713,共4页谢书银 石志仪 陈忠祥 张维连 
国家教委硅材料重点实验室基金
不同抗弯强度硅片高温弯曲度变化的实验结果表明，众多因素对抗弯强度和高温弯曲度的影响规律是一致的．高温翘曲度或弯曲度与抗弯强度有内在联系．抗弯强度不仅表示硅片在常温下的抗破碎能力，而且也反应了高温抗翘曲和弯曲能力．
关键词：硅片 高温翘曲 抗弯强度 实验 
圆片冲击法硅片强度测试中简支半径问题研究
《中南工业大学学报》1997年第3期260-261,共2页谢书银 王红忠 
国家教委硅材料国家重点实验室基金
分析了圆片冲击法硅片强度测试中简支半径对动载荷挠度及强度测试值的影响，实验求得直径50．8mm硅片抗弯强度测试值的校正系数为0．8．
关键词：抗弯强度 冲击载荷 简支半径 硅片 圆片冲击法 
高温工艺中硅片的翘曲被引量：3
《半导体技术》1997年第5期24-25,26,共3页谢书银 石志仪 陈中祥 
硅材料国家重点实验室基金
通过硅片高温热处理实验研究了热处理工艺和硅片表面状态对硅片高温弯曲度变化的影响，高温工艺中竖直装片引起的形变较小，研磨硅片经过适当化学腐蚀可明显降低高温翘曲。
关键词：硅片 热处理 弯曲 
热处理对硅片抗弯强度的影响被引量：2
《中国有色金属学报》1997年第1期169-171,共3页谢书银 石志仪 李冀东 董萍 
国家教委硅材料国家重点实验室基金
研究了热处理温度、时间及降温方式对不同氧、氮含量的氩气氛直拉硅（ＡＣＺ）及氮气氛直拉硅（ＮＣＺ）抗弯强度（σ）的影响规律。结果表明：硅氧络合物和氮硅氧络合物的生成使抗弯强度提高，沉淀的形成使强度下降。提出了既能消除热...
关键词：硅 抗弯强度 热处理 硅片 单晶硅 
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