GB/T 15615-1995硅片抗弯强度测试方法研究  

Study on GB/T 156151995 Test Method for Flexure Strength of Silicon Wafer

作　　者：谢书银[1,2] 石志仪[1,2] 李冀东[1,2] 

机构地区：[1]中南工业大学应用物理与热能工程系 [2]浙江大学硅材料国家重点实验室

出　　处：《半导体技术》1998年第1期47-49,共3页Semiconductor Technology

摘　　要：根据动能定理和薄板理论提出了一种新的脆性材料强度测试方法——圆片冲击法。通过当硅片较薄时偏离小挠度条件的实验校准，使该方法适用于各种厚度硅片的强度测量，进而制订了硅片抗弯强度测试方法的国家标准。A novel method for measuring strength of brittle materials——circular wafer impact method is presented based on kinetic energy theorem and sheet theory.The method is suitable for measuring the strength of silicon wafer with various thickness through experiment correction for deviating from small deflection when the silicon wafer is thinner.GB/T 156151995 test method for flecxure strength of silicon wafer was worked out based on the circular wafer impact method.

关 键 词：国家标准 硅片 抗弯强度 测试方法 集成电路 

分 类 号：TN407[电子电信—微电子学与固体电子学]