氮气氛下直拉硅中氮含量的红外光谱测定  

DETERMING NITROGEN IN CZOCHRALSKI SILICON BY INFRARED ABSORPTION SPECTROMETRY

作　　者：谢书银[1] 石志仪[1] 

机构地区：[1]中南工业大学应用物理与热能工程系

出　　处：《中国有色金属学报》1996年第2期42-44,共3页The Chinese Journal of Nonferrous Metals

基　　金：硅材料国家重点实验室基金

摘　　要：提出了利用直拉硅中与氮有关的特征红外吸收峰９６３、９９６、１０８１－１及１０２７ｃｍ－１确定直拉硅中氮含量的计算公式，并进行了多种样品实测。该法克服了只用９６３ｃｍ－１峰测定直拉硅中氮使结果偏低的弊病，方法相对偏差为５％～２０％The calculation formula for determination of nitrogen in CZ Si grown under nitrogen atmosphere by infrared absorption lines related to nitrogen at 963, 996, 1 018 and 1 027 cm -1 was given and the samples were measured with RSD 5%～20%. This method eliminated the deviation caused by using only 963 cm -1 in CZ Si.

关 键 词：硅 氮 红外吸收光谱法 硅单晶 含量 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]