IC生产线上离子注入剂量测试方法  

作　　者：杨富宝[1] 金红杰[1] 陈荣[1] 程宏亮[1] 

机构地区：[1]杭州士兰集成电路有限公司,杭州310018

出　　处：《计量技术》2010年第1期36-39,共4页Measurement Technique

摘　　要：在IC生产线上，对离子注入剂量的监控非常重要。目前，离子注入剂量的测试方法有很多种，它们在测试原理、仪器价格、测试灵敏度、样品制备和操作方便性等方面存在较大差异。本文重点介绍了MOSC—V法、扩展电阻探针（SRP）法和热波（TW）法的测试原理和测试过程，并比较分析了上述各种测试方法的优缺点，从而给实际工作中选择合适的测试方法监控离子注入剂量提供参考。

关 键 词：离子注入剂量 MOS C—V法 扩展电阻探针 热波法 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学] TL629.1[核科学技术—核技术及应用]