扩展电阻探针在器件开发和失效分析中的应用  

作　　者：吴晓虹[1] 闵靖[1] 

机构地区：[1]上海市计量测试技术研究院

出　　处：《上海计量测试》1999年第6期45-46,共2页Shanghai Measurement and Testing

摘　　要：本文介绍了使用扩展电阻探针，通过测试硅外延片、器件芯片和集成电路特定区域的纵向杂质分布，从而用以器件开发、工艺调控和失效分析。

关 键 词：半导体器件 失效分析 器件开发 扩展电阻探针 

分 类 号：TN307[电子电信—物理电子学]