薄膜SOI

作品数：18被引量：14H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：李肇基陈静罗杰馨王曦柴展更多>>
相关机构：中国科学院电子科技大学北京大学西安交通大学更多>>
相关期刊：《中国集成电路》《半导体技术》《太原师范学院学报（自然科学版）》《电子学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家部委资助项目中央高校基本科研业务费专项资金陕西省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制
《半导体技术》2012年第4期254-257,共4页王中健 夏超 徐大伟 程新红 宋朝瑞 俞跃辉 
国家自然科学基金资助项目(10775166;61006088);国家部委基金项目
针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理。通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性。在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5μm的注氧键合(Simbond)SOI衬底上开发了与CMOS工艺...
关键词：绝缘体上硅 横向扩散金属氧化物半导体 击穿电压 线性渐变掺杂 注氧键合 
应用于负电源的电平位移电路及器件设计
《电子元器件应用》2011年第7期32-36,共5页傅达平 王猛 胡曦 庄翔 赵远远 
本文设计了一种应用于负电源的电平位移电路。实现从0～8V低压逻辑输入到8～-100V高压驱动输出的转换。分析了该电路的结构和工作原理。基于此电路结构设计了满足应用要求的高压薄膜SOI LDMOS器件。分析了器件的工作状态以及耐压机理,...
关键词：电平位移 薄膜SOI LDMOS 负电源 开态击穿电压 
薄膜SOI上SiGe HBT集电结耗尽电荷和电容改进模型
《物理学报》2011年第11期730-734,共5页徐小波 张鹤鸣 胡辉勇 
国家部委资助项目(批准号:51308040203,6139801);中央高校基本科研业务费(批准号:72105499,72104089);陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2010JQ8008)资助的课题~~
文章研究了SOI衬底上SiGe npn异质结晶体管集电结耗尽电荷和电容.根据器件实际工作情况,基于课题组前面的工作,对耗尽电荷和电容模型进行扩展和优化.研究结果表明,耗尽电荷模型具有更好的光滑性;耗尽电容模型为纵向耗尽与横向耗尽电容...
关键词：耗尽电容 SIGE HBT SOI 
基于薄膜SOI的PDP高压寻址驱动集成电路
《微电子学》2009年第4期449-452,共4页王卓 刘新新 乔明 张波 李肇基 
"十一五"预研项目资助(51308020201);电子科技大学校青年基金资助项目(JX0831)
基于自主开发的薄膜SOI高低压兼容工艺,研制出一种64位输出的薄膜SOI PDP高压寻址驱动集成电路。测试结果显示,该电路具有80 V驱动电压和20 mA输出电流,电路时钟频率大于40 MHz。
关键词：薄膜 SOI 等离子显示板 寻址驱动电路 
SOI材料的发展历史、应用现状与发展新趋势(下)被引量：2
《中国集成电路》2007年第8期44-48,36,共6页陈猛 王一波 
国际SOI市场95％的应用集中在8英寸（1英寸=25．4毫米）和12英寸大尺寸薄膜SOI，其中绝大多数用户为尖端微电子技术的引导者，如IBM、AMD等。目前供应商为法国SOITEC、日本信越（SEH）、日本SUMCO，其中SOITEC对前两家用户供应了几乎全...
关键词：SOI材料 发展历史 应用 薄膜SOI 微电子技术 SOI电路 供应商 大尺寸 
绝缘硅成本不受材料限制薄膜SOI未来增长潜力巨大
《电子工业专用设备》2006年第6期16-17,共2页
根据市场调研机构Semico Research日前发布的报告，绝缘硅（SOI）的增长势头将不会受限于材料成本，这与通常的看法相反。随着半导体工艺技术向纳米阶段发展，绝缘硅的价格实际上可能比块状硅（bulk silicon）还低，使之成为具有成本效...
关键词：材料成本 绝缘硅 薄膜SOI 市场调研 工艺技术 成本效益 半导体 吸引力 
绝缘硅成本不受材料限制 薄膜SOI未来增长潜力巨大
《电力电子》2006年第3期66-66,共1页
根据市场调研机构Semico Research日前发布的报告，绝缘硅（SOI）的增长势头将不会受限于材料成本，这与通常的看法相反。随着半导体工艺技术向纳米阶段发展，绝缘硅的价格实际上可能比块状硅（bulk silicon）还低，使之成为一个具有成...
关键词：材料成本 绝缘硅 薄膜SOI RESEARCH 潜力 市场调研 工艺技术 成本效益 半导体 吸引力 
适于薄膜SOI RESURF器件击穿电压模拟的高阶紧致差分格式离散的ADI方法
《Journal of Semiconductors》2006年第2期354-357,共4页于宗光 刘战 王国章 须自明 
电子元件器件可靠性物理及其应用技术重点实验室基金资助项目(批准号:51433020105DZ6801)~~
采用ADI与高阶紧致差分相结合的方法计算薄膜SOI RESURF结构击穿电压.数值计算表明,这种方法可以降低方程的迭代次数约40%,并明显减少方程的求解时间.
关键词：ADI 高阶紧致差分 SOI RESURF 击穿电压 
SOI CMOS器件及其应用被引量：1
《电子元器件应用》2005年第4期52-54,共3页翁寿松 
介绍SOI技术及其形成方法。介绍SOICMOS器件的优点、全耗尽(FD)SOICMOS器件的特点及其应用。
关键词：SOI技术 SOI CMOS器件 薄膜SOI CMOS器件 应用 
电路设计中实现低功耗途径的探讨被引量：1
《太原师范学院学报（自然科学版）》2003年第2期57-59,共3页陈海波 
CMOS电路功耗主要由动态功耗决定的 ,文章分析了影响 CMOS电路功耗的主要因素 ,同时指出了降低 CMOS电路功耗的主要途径 ,并介绍了一些低功耗器件的设计方法和低功耗的设计技巧 .
关键词：电路设计 低功耗途径 CMOS电路 动态功耗 薄膜SOI 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部