绝缘硅

作品数：48被引量：59H指数：5
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井底参数新型检测手段设计研究被引量：2
《钻探工程》2023年第2期1-7,共7页汤凤林 赵荣欣 周欣 段隆臣 ЧихоткинВ.Ф. 
国家自然科学基金面上项目“液压冲击回转作用下热压WC-CU基孕镶金刚石钻头的磨损行为研究”(编号:41972327)。
绝缘硅(SOI)是一种新型电子材料。俄罗斯利用SOI技术设计研究出了一种新型井底参数检测手段,包括顶角测量仪和井底钻井液压力测量仪。这种手段具有热稳定性好、抗辐射能力强、精度高、灵敏度好和可靠性高的特点。建议引起重视并对此进...
关键词：绝缘硅 井底参数检测手段 热稳定性 抗辐射能力 深部钻进 
导热绝缘硅橡胶填料及其制备方法被引量：1
《天津化工》2023年第1期61-64,共4页马鸿川 
在电子电力行业快速发展的趋势下,电子器件与设备的功率密度越来越大,导致工作温度不断升高,影响电子器件与设备的使用性能及寿命。高导热性能与绝缘性能的硅橡胶填料对电子电力行业的发展具有重要作用。基于此,本文提出了导热绝缘硅橡...
关键词：导热 绝缘 硅橡胶 填料 热导率 
一种室温固化耐烧蚀绝缘硅橡胶胶粘剂及其制备方法
《橡胶参考资料》2020年第2期47-47,共1页
CN106190007B发明介绍了一种室温固化耐烧蚀绝缘硅橡胶胶粘剂及其制备方法。主要原材料硅橡胶基础胶/纤维/无机填料/小分子助剂/固化剂/促进剂的质量比为(70~85)/(2~8)/(5~15)/(1~3)/(1~5)/(0.5~1.5)。该硅橡胶胶粘剂兼具良好的耐烧蚀...
关键词：硅橡胶胶粘剂 室温固化 耐烧蚀性能 无机填料 促进剂 绝缘性能 固化剂 制备方法 
一种新型无机微晶驻极体材料SiO2-Ta2O5-B2O3-RO的制备与研究
《功能材料与器件学报》2019年第2期124-129,共6页黄志强 马雪涛 顾宇杰 
国家重点研发计划(No.2016YFB0400901)
通过成分选择与匹配,运用高温熔凝工艺在单晶硅片上制备成功SiO2-Ta2O5-B2O3-RO无机复合材料驻极体,实验显示:该材料为微晶结构,具有~2000级别的介电常数;恒栅压电晕充电后可获得与栅压相近的表面电位;TSD热刺激放电显示电流峰位于T=24...
关键词：SOI绝缘硅 复合材料 介电 电荷贮存 热刺激放电TSD 
持续发力中国市场,Soitec宣布中国市场发展新战略
《中国集成电路》2019年第4期7-8,共2页Soitec 
Soitec半导体公司(Soitec)近日宣布在中国开启销售渠道。Soitec中国团队包括销售与技术工程师,将直接面向中国客户以提供支持。此外,中国客户还可利用Soitec在优化衬底尤其是绝缘硅(SOI)领域的全球技术专长与合作网络,不断扩充中国日益...
关键词：中国市场 消费电子市场 销售渠道 半导体公司 合作网络 工程师 SOI 绝缘硅 
一种新型SOI绝缘硅复合材料的制备与性能表征被引量：1
《功能材料》2019年第1期1001-1005,共5页黄志强 沈彦宇 顾宇杰 马雪涛 
提出了一种新型SOI绝缘硅材料及其制备方法。通过高温工艺制备SiO_2-Ta_2O_5-B_2O_3-RO复合粉体,以其为中间层,将上下两层单晶硅片在700～800℃熔凝从而获得Si-insulator-Si 3层结构体。结果表明该样品层间结合紧密、分布均匀,具有良好...
关键词：新型SOI 复合材料 薄膜 绝缘 介电 
全耗尽绝缘硅FD-SOI工艺技术的特点分析
《集成电路应用》2017年第11期38-41,共4页孔文 
上海市软件和集成电路产业发展专项基金(2016.160220)
在先进的IC制造工艺方面,由Intel主导的Fin FET一直大行其道。而最近这几年,SOI,包括FD-SOI和RF-SOI越来越受到人们的关注,特别是随着物联网和5G时代的到来,其技术优势和应用前景也越发地被看好。在应用层面,总的来说,Fin FET的目标市...
关键词：集成电路制造 全耗尽绝缘硅 RF-SOI 
低g值MEMS惯性开关的设计与工艺优化被引量：2
《中国惯性技术学报》2016年第3期404-408,共5页熊壮 张凤田 袁明权 
中国工程物理研究院XXX项目资助
针对既有硅基低g值MEMS惯性开关的加工工艺复杂、加工周期长以及成品率低的问题,提出改进的结构设计和工艺方案。设计以圆形质量块+圆形螺旋梁为基础的敏感结构,以避免原结构因应力集中导致的螺旋梁断裂现象;提出玻璃-SOI-玻璃三层直接...
关键词：MEMS 惯性开关 双埋层 绝缘硅 阳极键合 螺旋梁 微纳加工 
哪些半导体公司会成为22nm FDSOI的尝鲜者?
《电子世界》2015年第19期18-18,共1页
GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工艺平台，成为全球第一家实现22nmFD-SOI（全耗尽绝缘硅），专为超低功耗芯片打造。FD—SOI技术仍然采用平面型晶体管，目前并不为业内看好，因为无论Intel还是三星、台积电，22n时代起就纷...
关键词：半导体公司 SOI技术 FINFET Intel 晶体管 超低功耗 平面型 绝缘硅 
SOI和pHEMT双刀五掷开关对比设计与实现被引量：1
《固体电子学研究与进展》2015年第3期246-252,共7页张志浩 黄亮 余凯 章国豪 
采用0.32μm CMOS-SOI工艺和D-mode 0.5μm GaAs pHEMT工艺设计了同一款双刀五掷射频开关,CMOS-SOI开关的设计应用了负压偏置电路和堆叠管子技术实现,GaAs pHEMT版本采用直流电压悬浮技术和三栅管与前馈电容技术实现。在0.9 GHz和1.9 GH...
关键词：双刀五掷射频开关 绝缘硅 高电子迁移率晶体管 插入损耗 隔离度 功率处理能力 
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