黄亮

作品数：6被引量：23H指数：3
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供职机构：广东工业大学更多>>
发文主题：射频功率放大器功率增益晶体管功率效率混凝土更多>>
发文领域：电子电信理学建筑科学更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《电子技术应用》《电子科技大学学报》更多>>
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一种应用于LTE-A的双功率模式宽带功率放大器设计被引量：2
《电子技术应用》2017年第9期30-33,38,共5页黄亮 李嘉进 章国豪 
东莞市引进创新创业领军人才项目(15Zk0369)
针对LTE-A移动终端应用,采用双功率模式架构设计了一款宽带功率放大器,利用功放工作模式的切换,改善了功放回退区域的效率。该功放还采用了InGaP/GaAs HBT和AlGaAs/InGaAs pHEMT的一体化工艺,将功放电路与控制电路单片集成,实现模式控...
关键词：双功率模式 功率回退 效率提升 功率放大器 
一种改善LTE应用功率放大器性能的设计被引量：3
《电子技术应用》2016年第10期47-50,57,共5页黄亮 何全 章国豪 
国家自然科学基金(500150058)
针对LTE应用的射频功率放大器,提出了一种结构简单的改善功率放大器性能的方法,并应用该方法设计了一个基于In Ga P/Ga As HBT工艺的两级F类功率放大器。该功率放大器采用了三阶交调失真消除技术、级间谐波抑制网络和带温度补偿特性的...
关键词：三阶交调失真 级间谐波抑制 F类 功率放大器 
一种带有温度补偿电路的射频功率放大器被引量：8
《电子科技大学学报》2015年第6期814-817,共4页黄亮 章国豪 张志浩 李思臻 
广东省领军人才专项资助项目(400130002)
针对无线通信应用的射频功率放大器,提出了一种新颖的温度补偿电路。应用该温度补偿电路,设计了一款基于In Ga P/Ga As HBT工艺的两级F类功率放大器。该功率放大器采用了带温度补偿特性的有源偏置电路,能有效地提高线性度,补偿温度引起...
关键词：有源偏置 F类 谐波抑制 功率放大器 温度补偿 
SOI和pHEMT双刀五掷开关对比设计与实现被引量：1
《固体电子学研究与进展》2015年第3期246-252,共7页张志浩 黄亮 余凯 章国豪 
采用0.32μm CMOS-SOI工艺和D-mode 0.5μm GaAs pHEMT工艺设计了同一款双刀五掷射频开关,CMOS-SOI开关的设计应用了负压偏置电路和堆叠管子技术实现,GaAs pHEMT版本采用直流电压悬浮技术和三栅管与前馈电容技术实现。在0.9 GHz和1.9 GH...
关键词：双刀五掷射频开关 绝缘硅 高电子迁移率晶体管 插入损耗 隔离度 功率处理能力 
2.45GHz 0.18μm CMOS高线性功率放大器设计被引量：4
《电子技术应用》2014年第2期46-48,共3页刘斌 刘祖华 黄亮 章国豪 
为了在更高的电源电压下工作,并便于匹配网络的设计,电路采用两级共源共栅架构。采用自偏置技术放宽功放的热载流子降低的限制并减小采用厚栅晶体管所带来的较差的射频性能。同时使用带隙基准产生一个稳定且独立于工艺和温度变化的直流...
关键词：无线局域网 功率放大器 带隙基准 CMOS 
应用于WLAN的低噪声放大器及射频前端的设计被引量：5
《电子技术应用》2014年第1期38-40,共3页刘祖华 刘斌 黄亮 章国豪 
射频前端芯片集成了PA、LNA和收发开关电路,实现了无线局域网所需要的射频功能,设计了一个高性能的应用于2.4 GHz无线局域网的低噪声放大器。电路设计全部基于SMIC RF 0.18μm CMOS工艺完成,利用Cadence进行了电路设计和模拟仿真验证,...
关键词：无线局域网 射频前端 低噪声放大器 CMOS 
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