余凯

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：广东工业大学更多>>
发文主题：射频功率放大器晶体管电荷泵源极漏极更多>>
发文领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术文化科学更多>>
发文期刊：《微纳电子与智能制造》《固体电子学研究与进展》更多>>
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超低功耗CMOS电压基准源技术研究进展
《微纳电子与智能制造》2023年第4期6-12,共7页李思臻 余凯 罗子安 苏钊贤 
国家自然科学基金(61804033)项目资助
当前,随着物联网微型设备的发展,电压基准源作为电子设备中集成电路的基本模块,需要在非常有限的电源电压和功率下工作。此外,电压基准源还需要在工艺、电源电压、温度变化时能够提供稳定的输出电压。相比于使用双极型晶体管和大电阻的...
关键词：CMOS电压基准源 自偏置 泄漏偏置 工艺偏差 线性灵敏度 温度特性 
SOI和pHEMT双刀五掷开关对比设计与实现被引量：1
《固体电子学研究与进展》2015年第3期246-252,共7页张志浩 黄亮 余凯 章国豪 
采用0.32μm CMOS-SOI工艺和D-mode 0.5μm GaAs pHEMT工艺设计了同一款双刀五掷射频开关,CMOS-SOI开关的设计应用了负压偏置电路和堆叠管子技术实现,GaAs pHEMT版本采用直流电压悬浮技术和三栅管与前馈电容技术实现。在0.9 GHz和1.9 GH...
关键词：双刀五掷射频开关 绝缘硅 高电子迁移率晶体管 插入损耗 隔离度 功率处理能力 
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