基于薄膜SOI的PDP高压寻址驱动集成电路  

High Voltage PDP Data Driver IC Based on Thin Layer SOI

作　　者：王卓[1] 刘新新[1] 乔明[1] 张波[1] 李肇基[1] 

机构地区：[1]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054

出　　处：《微电子学》2009年第4期449-452,共4页Microelectronics

基　　金："十一五"预研项目资助(51308020201);电子科技大学校青年基金资助项目(JX0831)

摘　　要：基于自主开发的薄膜SOI高低压兼容工艺,研制出一种64位输出的薄膜SOI PDP高压寻址驱动集成电路。测试结果显示,该电路具有80 V驱动电压和20 mA输出电流,电路时钟频率大于40 MHz。A 64-bit PDP data driver circuit based on thin layer SOl was developed successfully. Test results showed that the circuit had a driving voltage up to 80 V and a maximum output current of 20 mA, with a clock frequency over 40 MHz.

关 键 词：薄膜 SOI 等离子显示板 寻址驱动电路 

分 类 号：TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]