适于薄膜SOI RESURF器件击穿电压模拟的高阶紧致差分格式离散的ADI方法  

An ADI Method for the Breakdown Voltage Analysis of Thin-Film SOI RESURF Structure with the High-Order Compact Finite Difference

作　　者：于宗光[1,2] 刘战[3] 王国章[1,2] 须自明[3] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第58研究所 [2]江南大学信息工程学院,无锡214035 [3]江南大学信息工程学院

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第2期354-357,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：电子元件器件可靠性物理及其应用技术重点实验室基金资助项目(批准号:51433020105DZ6801)~~

摘　　要：采用ADI与高阶紧致差分相结合的方法计算薄膜SOI RESURF结构击穿电压.数值计算表明,这种方法可以降低方程的迭代次数约40%,并明显减少方程的求解时间.The application of ADI and high-order compact finite difference method to the breakdown voltage analysis of thin film SOl RESURF structure. Numerical results present that this method can decrease the number of iterative by 40% and reduce the computation time greatly.

关 键 词：ADI 高阶紧致差分 SOI RESURF 击穿电压 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]