赵远远

作品数：3被引量：1H指数：1
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供职机构：电子科技大学更多>>
发文主题：高压器件半导体功率器件薄层高压集成电路单晶硅片更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊：《微电子学》《电子元器件应用》《压电与声光》更多>>
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漂移区覆盖高k薄膜的高压LDMOS器件优化设计被引量：1
《微电子学》2012年第2期261-265,共5页王伟宾 赵远远 钟志亲 王姝娅 戴丽萍 张国俊 
为了获得高耐压、低导通电阻的横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件,综合利用高介电常数(高k)薄膜技术和场板技术,设计出一种漂移区表面采用"高k薄膜+氧化层+场板"结构的功率器件,有效降低了PN结弯角高电场和场板边缘峰值电场。使用器件仿真工...
关键词：LDMOS器件 高k薄膜 场板 击穿电压 导通电阻 
高耐压LDMOS用的高K薄膜湿法刻蚀研究
《压电与声光》2012年第1期114-117,共4页王伟宾 霍伟荣 赵远远 王姝娅 束平 张国俊 
为了对横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件所采用的锆钛酸铅(PZT)高介电常数(高K)薄膜进行微图形化,对湿法刻蚀过程中腐蚀液、光刻、刻蚀等工艺进行了优化研究,发现由BOE+HCl+HNO3+H2O+缓冲剂组成的腐蚀液刻蚀效果较好。刻蚀结果表明,所刻蚀...
关键词：高K薄膜 锆钛酸铅(PZT)薄膜 湿法刻蚀 LDMOS 刻蚀速率 
应用于负电源的电平位移电路及器件设计
《电子元器件应用》2011年第7期32-36,共5页傅达平 王猛 胡曦 庄翔 赵远远 
本文设计了一种应用于负电源的电平位移电路。实现从0～8V低压逻辑输入到8～-100V高压驱动输出的转换。分析了该电路的结构和工作原理。基于此电路结构设计了满足应用要求的高压薄膜SOI LDMOS器件。分析了器件的工作状态以及耐压机理,...
关键词：电平位移 薄膜SOI LDMOS 负电源 开态击穿电压 
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