LDMOS器件

作品数：50被引量：48H指数：4
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具有n^(+)埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽LDMOS器件
《半导体技术》2025年第2期134-140,共7页康怡 刘东 卢山 鲁啸龙 胡夏融 
四川省科技计划项目(2021YFQ0051)。
Si/4H-SiC异质结构能够同时结合Si材料的成熟工艺和SiC材料的宽禁带特性,在功率器件设计中具有巨大潜力。提出了一种具有n+埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。位于Si/SiC异质结界面SiC侧的重掺杂n...
关键词：横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS) Si/4H-SiC异质结 n^(+)埋层 L型场板 功率品质因数 
电磁脉冲冲击下工业芯片LDMOS器件可靠性仿真方法研究
《集成电路与嵌入式系统》2024年第10期25-30,共6页朱亚星 赵东艳 陈燕宁 刘芳 吴波 王凯 梁英宗 郁文 池泊明 连亚军 
北京智芯微电子科技有限公司《面向BCD工艺核心器件可靠性仿真方法研究》项目。
电磁脉冲冲击环境下工业芯片LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)器件的可靠性仿真通常基于周期性单TLP(Transmission Line Pulse)脉冲信号的参数作为瞬态输入条件,利用商业TCAD(Technology Computer Aided Design)软...
关键词：电磁脉冲冲击 LDMOS器件 期望最大算法 可靠性理论 
100 V SOI厚栅氧LDMOS器件设计与优化
《通讯世界》2024年第7期1-3,共3页王永维 黄柯月 温恒娟 陈浪涛 周锌 
基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟...
关键词：SOI LDMOS 绝缘体上硅 功率器件 击穿电压 阈值电压 
集成电路工艺制程虚拟仿真实验设计
《自动化应用》2024年第10期209-211,214,共4页刘海涛 方衡 林智 陈彦孜 曾浩 
国家自然科学基金项目(62074020);重庆大学教改项目(2021Y29)。
高校普遍存在难以建造完整的集成电路工艺线,导致工艺实验难以有效开展,在一些特殊情况(如突发疫情)下,原本建立的校企、校校合作方式开展的工艺实验难以实施等问题。针对存在的问题,以在功率集成电路中广泛应用的横向扩散金属氧化物半...
关键词：集成电路工艺制程 虚拟仿真 LDMOS器件 
SiC功率LDMOS器件发展现状及新进展
《半导体技术》2023年第11期949-960,共12页杨帅强 刘英坤 
集成化和小型化是未来电力电子技术的发展方向,SiC-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件兼有SiC材料优势和LDMOS器件优势,击穿电压高、比导通电阻低、易与其他器件集成,在单片功率集成和小型化应用中起着重要的作用,但受限于晶圆材料...
关键词：SiC-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 衬底 晶面 器件结构 击穿电压 比导通电阻 
辐射加固LDMOS器件的总剂量辐射效应
《现代应用物理》2023年第2期170-175,共6页谢儒彬 葛超洋 周锌 曹利超 陈浪涛 吴建伟 乔明 
微电子预先研究基金资助项目(31513040106)。
基于标准Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺研制的抗辐射电源管理芯片无法满足航天应用要求,抗辐射BCD工艺的发展严重制约了我国在航天领域核心器件的研制。与CMOS器件相比,LDMOS器件具有更高的工作电压和更多的介质结构,更易受到总剂量问题...
关键词：辐射加固 总剂量效应 浅槽隔离 0.18μm BCD LDMOS 
一种环形栅LDMOS器件的宏模型
《微电子学》2023年第3期500-505,共6页韩卫敏 刘娇 王磊 洪敏 朱坤峰 张广胜 
重庆市自然科学基金面上项目(CSTB2022NSCQ-MSX0254)
提出了一种适用于环形栅LDMOS器件的子电路宏模型。基于对环形栅LDMOS器件结构的分析,将环形栅LDMOS器件分为两个部分,一个是中间的条形栅MOS部分,使用常规的高压MOS模型;另一个是端头部分,为一个圆环形栅极MOS器件,采用了一个单独的模...
关键词：环形栅 LDMOS 宏模型 BCD工艺 
一种总剂量辐照加固的双栅LDMOS器件
《电子与封装》2021年第8期71-76,共6页马红跃 方健 雷一博 黎明 卜宁 张波 
提出一种600 V N型双栅LDMOS新器件结构,能够减小总剂量(TID)辐照导致的阈值电压漂移。与常规600 V NLDMOS相比,所提出的双栅由厚栅和薄栅构成,其中薄栅位于p阱的N+有源区上方,厚栅为原器件结构的栅,在受到TID辐照时,薄栅结构可以抑制...
关键词：600 V NLDMOS 双栅 总剂量 阈值电压漂移 
带浮空层的LDMOS器件特性研究
《科技创新与应用》2021年第10期63-65,共3页赵婉婉 冯懿 陈子馨 
为提升器件击穿特性,在Double-RESURF器件的衬底上引入N型的浮空层,构建出一种带部分浮空层的LDMOS器件。利用TCAD仿真软件对器件进行仿真,通过建立二维击穿模型的建立,对器件的结构参数进行优化,实现提升器件的击穿性能的目的。结果表...
关键词：浮空层 LDMOS 击穿电压 
LDMOS器件性能研究与综述被引量：2
《科技创新与应用》2021年第9期164-166,共3页赵婉婉 廖婉奇 
比导通电阻和击穿电压之间的权衡问题是功率LDMOS的主要研究对象。文章针对LDMOS器件性能提升的不同研究方法展开调研,并总结与概括了近年来性能提升的主要方法。
关键词：LDMOS 比导通电阻 击穿电压 
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