100 V SOI厚栅氧LDMOS器件设计与优化  

作　　者：王永维[1,2] 黄柯月 温恒娟 陈浪涛 周锌 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司电子第十三研究所,河北石家庄050051 [2]北京国联万众半导体科技有限公司,北京101318 [3]电子科技大学集成电路科学与工程学院,四川成都611731 [4]北京振兴计量测试研究所,北京100074

出　　处：《通讯世界》2024年第7期1-3,共3页Telecom World

摘　　要：基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟道离子补偿注入的方法,通过控制沟道区调整沟道区硼离子注入剂量,调节器件的阈值电压,同时通过优化N阱区(N-well)注入窗口长度改善器件的饱和电流。

关 键 词：SOI LDMOS 绝缘体上硅 功率器件 击穿电压 阈值电压 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]