应用于负电源的电平位移电路及器件设计  

作　　者：傅达平[1] 王猛[1] 胡曦[1] 庄翔[1] 赵远远[1] 

机构地区：[1]电子科技大学功率集成技术实验室,四川成都610054

出　　处：《电子元器件应用》2011年第7期32-36,共5页Electronic Component & Device Applications

摘　　要：本文设计了一种应用于负电源的电平位移电路。实现从0～8V低压逻辑输入到8～-100V高压驱动输出的转换。分析了该电路的结构和工作原理。基于此电路结构设计了满足应用要求的高压薄膜SOI LDMOS器件。分析了器件的工作状态以及耐压机理,并利用工艺器件联合仿真对器件的电学特性进行了优化设计。

关 键 词：电平位移 薄膜SOI LDMOS 负电源 开态击穿电压 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]