电平位移

作品数:19被引量:40H指数:4
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相关作者:张波方健王卓乔明周泽坤更多>>
相关机构:电子科技大学松下电器产业株式会社成都博思微科技有限公司中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关期刊:《微电子学与计算机》《现代电子技术》《电子元器件应用》《世界电子元器件》更多>>
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一种高可靠性三相全桥IGBT驱动电路的设计被引量:4
《自动化与仪表》2023年第9期1-5,共5页邢鑫怡 程心 王柯凡 金超 
安徽省自然科学基金项目(2108085MF226)。
该文基于X-FAB 1.0μm高压SOI工艺,提出一种适用于600 V高压下的三相全桥IGBT驱动电路,包括输入接口电路、死区时间产生电路、高低压电平位移电路以及其它保护电路。其中针对输入信号可能同时有效的问题,设计了一种可以对输入信号的错...
关键词:IGBT驱动电路 三相全桥 SOI工艺 电平位移 
一种高dV/dt噪声抑制的电平位移电路设计被引量:1
《微电子学》2023年第2期221-226,共6页尹勇生 朱守佳 杨悦 邓红辉 
安徽省重点研发计划(202104g01020008);安徽省协同创新项目(GXXT-2019-030)。
在半桥栅驱电路中,低压域PWM控制信号需要通过电平位移电路来转换成高边浮动电压域的PWM控制信号,从而打开或关断上桥臂功率管。浮动电源轨的快速浮动会带来dV/dt噪声,影响电平位移电路信号传输的可靠性。文章在电平位移电路中分别设计...
关键词:电平位移电路 栅极驱动 半桥驱动 dV/dt噪声抑制 
用于高压功率集成电路的高速电平位移电路设计被引量:1
《兰州工业学院学报》2023年第1期80-83,共4页何宁业 孙付扬 方昊 侯丽 
安徽省高校自然科学研究项目(KJHS2020B07,KJ2021ZD0120);安徽省重点研究和开发计划项目(202104b11020031);智能微系统安徽省工程技术研究中心开放项目(MSZXXM2004)。
介绍了一种用于高压功率集成电路的高速电平位移电路,采用窄脉冲产生电路结构,提取低压控制信号的边沿信息,将其分解为2路窄脉冲信号分别驱动高压LDMOS,实现高低压侧电路区域之间信号的快速可靠传输,大幅降低了整个电平位移电路延时和...
关键词:栅驱动 电平位移 LDMOS GAN 
一种低功耗高稳态电平位移电路被引量:3
《微电子学》2020年第3期315-320,共6页王佳妮 周泽坤 李颂 石跃 王卓 张波 
国家自然科学基金资助项目(61674025,61306035);中央高校基础研究基金资助项目(ZYGX2016J056);"气象信息与信号处理"省高校重点实验室基金资助项目(QXXCSYS201504,QXXCSYS201603)。
提出了一种新型低功耗、高稳态电平位移电路。该电路能将5 V输入电压转换为10 V输出电压,在电路的初态和电平转换过程中均保持高稳态。采用瞬态增强结构,能加速电平信号之间的转换,有效地减小了传输延迟,提高了电路稳定性。瞬态增强结...
关键词:电平位移 瞬态增强 高稳态 低功耗 
高压栅驱动电路中高速工况研究与设计
《太赫兹科学与电子信息学报》2019年第6期1098-1101,1106,共5页雷一博 方健 陈智昕 王定良 
基于高压栅驱动电路,提出一种高速工况下的改进结构,以克服不确定的错误输出。新结构包括高速工况保护技术和一种能够消除R/S触发器输入不确定状态的技术。与传统的栅驱动电路相比,新结构拥有更好的抗风险能力。基于华润上华1μm600 V...
关键词:高压栅驱动 BCD工艺 电平位移 窄脉冲 RS触发器 
如何创建可编程输出反相降压-升压稳压器
《世界电子元器件》2018年第11期30-33,共4页
在很多应用中,尤其是测试和测量领域,您都需要借助外部装置或数字模拟转换器设置反相降压/升压稳压器的输出电压。在常规的降压拓扑中,这种操作很简单:只需要借助一个带有串联电阻器的电压电源、一个电流源或者一个DAC将电流导入反馈节...
关键词:稳压器 晶体管 电平位移 PNP 发射极 可编程 集电极电流 VBE 电流镜 
一种低功耗的电平位移电路
《电子产品世界》2018年第10期43-45,共3页陈智昕 
提出了一种基于0.35μm BCD工艺的电平位移电路。该电路使用了耐压5V的CMOS器件。通过对常规电平位移电路进行分析,提出了优化改善的电平位移电路。电路仿真结果显示,与常规的电平位移电路相比,改进的电路具有功耗低、输出电平稳定可靠...
关键词:电平位移 低功耗 电流镜 
基于1μm 600V BCD工艺的高压栅驱动电路被引量:2
《微电子学》2013年第4期484-487,共4页黎俐 方健 
国家重大科技02专项资助项目(2010ZX02201-003-002)
基于低压BCD工艺,与华润上华合作开发了1μm 600VBCD工艺平台,可以集成600V高压LDMOS和高压结终端。基于此工艺平台,设计了一种高压半桥栅驱动电路。该电路具有独立的低端和高端输入通道,内置长达1μs的死区时间,防止高低端同时导通。...
关键词:BCD工艺 高压栅驱动 电平位移 
一种高性能Class D音频放大器PWM控制的设计
《电子元器件应用》2012年第7期17-21,共5页李强 杨旭 李涅 周泽坤 张波 
文中设计了一种应用于ClassD音频放大器中高性能PWM控制。该控制能够在较宽的电源电压范围内,使调制锯齿波的输入电平及音频输入信号经过前置放大后的共模电平跟随电源电压的变化而变化。共模电平经过PWM比较器得到占空比随输入信号变...
关键词:自适应 电平位移 CLASS D 
同步降压DC-DC转换器驱动级设计被引量:3
《微电子学》2012年第2期187-190,194,共5页刘焱 龚志鹏 鲍小亮 周泽坤 张波 
提出一种输入电压为4.5~23V、输出电流可达3A的同步降压转换器的驱动级,内部集成了电平移位、死区时间控制及同步管反向电流限制等功能。设计了一种为内部逻辑供电的低压电源,使驱动级大部分可以由低压器件构成,与外部电源供电的驱动...
关键词:同步降压 DC-DC转换器 电平位移 死区时间 LDO 
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