栅驱动

作品数：51被引量：60H指数：5
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一种适用于GaN栅驱动的具有自适应能力的电平移位电路
《机电工程技术》2025年第2期153-158,共6页王亮 刘大伟 范建林 庄巍 
集成电路设计技术研发和集成电路设计公共服务平台建设(广东省科学院)纵向项目(1220180001)。
半桥驱动器中高侧驱动信号电平移位电路是驱动芯片的核心模块,其功能是将低压域PWM控制信号转换成高边浮动电压域的驱动信号,从而控制上桥臂功率管的开启或关断。电平移位电路正常工作与否直接决定了驱动芯片的设计成败。介绍了一种用于...
关键词：GAN 栅驱动 电平移位电路 自适应 共模瞬变干扰免疫 传输延迟 
一种用于GaN HEMT栅驱动片内电源产生电路设计
《科学技术创新》2023年第16期57-60,共4页申福伟 孙付扬 铁瑞芳 何宁业 许媛 
安徽省自然科学研究重点项目(2022AH051957);安徽省智能微系统工程技术研究中心开放基金重点项目(MSZXXM2002);国家级大学生创新创业训练计划项目(202210375038)。
GaN HEMT功率器件通常用于高频开关频率下(MHZ以上),尤其开关频率达到10 MHZ以上之后,对栅驱动芯片的内部的电源电路设计要求更加苛刻[1]。本文设计了一种带欠压保护功能的LDO电源产生电路,能实时检测电源电压是否处于欠压状态,进而通...
关键词：GaN HEMT 栅驱动电路 低压差线性稳压器 欠压保护电路 
用于GaN HEMT栅驱动芯片的高性能过温保护电路
《微电子学与计算机》2023年第3期93-98,共6页李亮 周德金 黄伟 陈珍海 
江苏省高职院校教师专业带头人高端研修项目(2021GRFX058);智能微系统安徽省工程技术研究中心开放项目(MSZXXM2001)。
设计了一种用于GaNHEMT器件栅驱动芯片的高性能温度保护电賂,能精确响应并输出保护信号以确保电賂安全.过温保护采用两路温度检测电路来采集温度信号电压值并对电压差值进行放大,比较滤波后经过具有滞回功能的施密特触发器输出整形保护...
关键词：GAN 半桥驱动 过温保护 比较器 温度检测 
D类音频功放过流保护电路的设计
《中国集成电路》2023年第3期31-36,共6页原王凯 谢亮 金湘亮 
本文设计了一种D类音频功放的过流保护电路。通过和功率管同类型,缩小尺寸的采样管监测流过功率管电流的大小,因此在高侧功率管和低侧功率管过流时,使用一个基准电压值和一个比较器就可以完成过流检测及保护功能,有效降低了过流保护电...
关键词：D类功放 过流保护 栅驱动 
用于光隔离IGBT栅驱动芯片的高CMTI差分TIA电路被引量：2
《微电子学》2023年第1期25-30,共6页赵乙蔷 张有润 康仕杰 章登福 甄少伟 张波 张佳宁 
稳定支持项目(31JC19A001A)
设计了一种基于0.18μm BCD工艺的全差分TIA电路和光隔离IGBT驱动系统。分析了共模瞬态干扰对光隔离驱动系统的影响,提出了一种可以提高共模瞬态抗扰度(CMTI)的全差分TIA结构。TIA的差分输入端分别接一个遮光的PD和一个透光的PD,TIA的...
关键词：全差分TIA电路 共模瞬态抗扰度 光耦隔离 栅驱动 
用于高压功率集成电路的高速电平位移电路设计被引量：1
《兰州工业学院学报》2023年第1期80-83,共4页何宁业 孙付扬 方昊 侯丽 
安徽省高校自然科学研究项目(KJHS2020B07,KJ2021ZD0120);安徽省重点研究和开发计划项目(202104b11020031);智能微系统安徽省工程技术研究中心开放项目(MSZXXM2004)。
介绍了一种用于高压功率集成电路的高速电平位移电路,采用窄脉冲产生电路结构,提取低压控制信号的边沿信息,将其分解为2路窄脉冲信号分别驱动高压LDMOS,实现高低压侧电路区域之间信号的快速可靠传输,大幅降低了整个电平位移电路延时和...
关键词：栅驱动 电平位移 LDMOS GAN 
一种高速高共模瞬态抗扰度电平位移电路
《微电子学》2022年第5期734-739,共6页秦尧 叶自凯 尤勇 庄春旺 明鑫 王卓 张波 
国家自然科学基金资助项目(61974019)。
设计了一种适用于GaN栅驱动的高速、高共模瞬态抗扰度的电平位移电路。电路受PWM信号和短脉冲协同控制,利用短脉冲控制的加速电路提升了电平转换速度。在浮动电源轨高速切换和减幅振荡过程中,电路内部对地寄生电容的充放电会导致输出逻...
关键词：GaN栅驱动 电平位移电路 高速 高共模瞬态抗扰度 
SiC MOSFET栅极驱动电路研究综述被引量：3
《电子与封装》2022年第2期1-11,共11页周泽坤 曹建文 张志坚 张波 
国家自然科学基金(62074028)。
凭借碳化硅(SiC)材料的宽禁带、高击穿电场、高电子饱和速率和高导热性等优点,SiC MOSFET广泛应用在高压、高频等大功率场合。传统基于硅(Si)MOSFET的驱动电路无法完全发挥SiC MOSFET的优异性能,针对SiC MOSFET的应用有必要采用合适的...
关键词：电磁干扰噪声 能量损耗 栅驱动 SiC MOSFET 
用于GaN HEMT栅驱动芯片的快速响应LDO电路被引量：5
《电子与封装》2022年第2期50-53,共4页陈恒江 周德金 何宁业 汪礼 陈珍海 
安徽省重点研究与开发计划(201904b11020007);安徽省高校自然科学研究项目(KJHS2020B07)。
设计了一种用于GaN高电子迁移率晶体管(High-Electron-Mobility Transistor,HEMT)器件栅驱动芯片的快速响应低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)电路,可为高速变化的数字电路提供快速响应的供电电压。该电路采用动态偏置结构,...
关键词：高电子迁移率晶体管 栅驱动 低压差线性稳压器 快速响应 
用于GaN HEMT栅驱动芯片的高精度欠压保护电路被引量：1
《电子与封装》2021年第12期50-53,共4页陈恒江 潘福跃 周德金 何宁业 陈珍海 
安徽省重点研究与开发计划(201904b11020007);安徽省高校自然科学研究项目(KJHS2020B07);智能微系统安徽省工程技术研究中心开放课题(MSZXXM2004)。
设计了一种用于GaN HEMT器件栅驱动芯片、能提供快速响应高精度阈值电压的高精度欠压保护电路。该电路一方面采用宽电压摆幅和快速响应的两级比较器电路来提高处理速度;另一方面,输出整形电路采用RC低通滤波和两级施密特触发器组合滤波...
关键词：欠压保护 比较器 高精度 
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