半桥驱动

作品数：97被引量：103H指数：6
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基于碳化硅MOSFET半桥驱动及保护电路设计
《电子技术应用》2025年第3期90-97,共8页郑高铭 孙峰 李欢 胡雅婷 刘京 刘羽捷 
针对碳化硅MOSFET驱动电路设计难度较大、门极易受串扰、保护功能不齐全以及全国产化的问题,基于国产芯片设计了一款碳化硅MOSFET半桥驱动及保护电路。重点分析总结了碳化硅MOSFET有源米勒钳位保护、退饱和保护以及桥臂互锁保护原理与...
关键词：碳化硅MOSFET 驱动电路 有源米勒钳位 退饱和保护 
半桥驱动的恒流恒压可重构的无线电能传输系统
《电机与控制学报》2024年第9期189-199,共11页杨云虎 薛建志 梁大壮 李钰 贾维娜 杨志 
国家自然科学基金面上项目(51577002);安徽省自然科学基金面上项目(1508085)。
锂电池在充电过程中充电电压变化范围大,其等效阻抗不断增加,会带来恒流过充以及恒压欠充问题,结合锂电池在快速充电过程中的动态特性,提出一种基于半桥驱动的恒流恒压可重构的S/LCC-LCC无线电能传输(WPT)系统。半桥驱动的WPT系统仅用...
关键词：半桥驱动 无线电能传输 恒流恒压 重构拓扑 零相角 
面向GaN驱动的高噪声抗扰度电平位移电路
《微电子学》2024年第4期564-569,共6页邵瑞洁 吴之久 明鑫 王卓 张波 
国家重点研发计划(2022YFB3604204);国家自然科学基金(61974019);四川省科技计划资助(2020YFJ0002)。
在高压GaN半桥栅驱动系统应用中,需要通过电平位移电路来实现信号在不同电压域之间的转换。为了保证转换过程中的信号完整性,设计了一种面向GaN驱动的高噪声抗扰度电平位移电路。在半桥开关节点电压发生快速切换时,针对电路内部大寄生...
关键词：GaN半桥驱动 电平位移电路 高噪声抗扰度 
用于GaN半桥驱动的高可靠欠压锁定电路
《电子与封装》2023年第9期41-44,共4页李亮 周德金 黄伟 陈珍海 
智能微系统安徽省工程技术研究中心开放项目(MSZXXM2001);苏州市科技计划(SZS2022015)。
设计了一种用于GaN栅驱动芯片的高可靠欠压锁定电路,该电路能精确响应并输出保护信号以确保电路安全。欠压锁定采用快速响应的差分比较器电路与电阻分压采样,避免了反馈回路开关噪声引起的电路不稳定问题。在欠压锁定电路中加入电源毛...
关键词：半桥电路 欠压锁定 比较器 毛刺检测 
数字化锂电检测系统设计与研究
《微型电脑应用》2023年第5期77-80,共4页杨平 王雨 黄旭芳 
泸州市科技计划项目(2017-S-44(1/2))。
提出一种灵活的低成本数字测试方案,应对更广泛尺寸、电压、容量的锂电池测试需求。采用STM32F103作为控制核心,栅极驱动器驱动由2个N沟道MOSFET构成半桥电路;运放采用差分输入方式检测电池充放电电流及电压;高精度ADC(MCP3914)将数字...
关键词：锂离子电池 脉冲充电 半桥驱动 STM32F103 MIC4100 
一种高dV/dt噪声抑制的电平位移电路设计被引量：1
《微电子学》2023年第2期221-226,共6页尹勇生 朱守佳 杨悦 邓红辉 
安徽省重点研发计划(202104g01020008);安徽省协同创新项目(GXXT-2019-030)。
在半桥栅驱电路中,低压域PWM控制信号需要通过电平位移电路来转换成高边浮动电压域的PWM控制信号,从而打开或关断上桥臂功率管。浮动电源轨的快速浮动会带来dV/dt噪声,影响电平位移电路信号传输的可靠性。文章在电平位移电路中分别设计...
关键词：电平位移电路 栅极驱动 半桥驱动 dV/dt噪声抑制 
用于GaN HEMT栅驱动芯片的高性能过温保护电路
《微电子学与计算机》2023年第3期93-98,共6页李亮 周德金 黄伟 陈珍海 
江苏省高职院校教师专业带头人高端研修项目(2021GRFX058);智能微系统安徽省工程技术研究中心开放项目(MSZXXM2001)。
设计了一种用于GaNHEMT器件栅驱动芯片的高性能温度保护电賂,能精确响应并输出保护信号以确保电賂安全.过温保护采用两路温度检测电路来采集温度信号电压值并对电压差值进行放大,比较滤波后经过具有滞回功能的施密特触发器输出整形保护...
关键词：GAN 半桥驱动 过温保护 比较器 温度检测 
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K
《世界电子元器件》2023年第2期34-37,共4页
纳芯微全新推出GaN相关产品,包含GaN驱动NSD2621与集成化的Power Stage产品NSG65N15K,均可广泛适用于快充、储能、服务器电源等多种GaN应用场景。其中,NSD2621是一颗高压半桥栅极驱动芯片,专门用于驱动E-mode(增强型)GaN开关管;NSG65N15...
关键词：栅极驱动 GAN 应用场景 开关管 半桥驱动器 POWER 集成化 
用于GaN半桥驱动器的高速电平移位电路被引量：2
《半导体技术》2022年第11期873-878,890,共7页李亮 周德金 黄伟 陈珍海 
江苏省高职院校教师专业带头人高端研修项目(2021GRFX058);智能微系统安徽省工程技术研究中心开放项目(MSZXXM2001)。
设计了一种GaN半桥驱动器高性能电平移位电路,一方面采用短脉冲控制的高速镜像噪声电流与噪声电流相互抵消的方法消除共模噪声,另一方面采用脉冲宽度调制(PWM)控制的正反馈互锁电路,该电路不含RC滤波,用来消除由于工艺偏差造成的差模噪...
关键词：GAN 半桥驱动器 电平移位 瞬态噪声抑制 正反馈互锁 
ST MASTERGAN5 600V增强模式GaN功率半桥驱动器解决方案
《世界电子元器件》2021年第10期47-51,共5页
ST公司的MASTERGAN5是高功率密度两个增强模式GaN功率HEMT的600V半桥驱动器,具有先进的功率系统级封装(SiP),集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强模式GaN功率晶体管.集成的功率GaN具有650V漏极-源极电压和450 mΩ的RDS(ON).同时嵌入...
关键词：功率晶体管 栅极驱动器 极电压 GAN 漏极 半桥驱动器 功率开关 MASTER 
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