ST MASTERGAN5 600V增强模式GaN功率半桥驱动器解决方案  

出　　处：《世界电子元器件》2021年第10期47-51,共5页Global Electronics China

摘　　要：ST公司的MASTERGAN5是高功率密度两个增强模式GaN功率HEMT的600V半桥驱动器,具有先进的功率系统级封装(SiP),集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强模式GaN功率晶体管.集成的功率GaN具有650V漏极-源极电压和450 mΩ的RDS(ON).同时嵌入的栅极驱动器的高边很容易由集成的自举二极管进行供电.MASTERGAN5在低和高驱动部分具有UVLO功能,以防止功率开关工作在低效率或危险条件,而互锁功率避免了交叉导通的出现.输入引脚的扩展范围很容易和微控制器.

关 键 词：功率晶体管 栅极驱动器 极电压 GAN 漏极 半桥驱动器 功率开关 MASTER 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]