半桥电路

作品数：75被引量：131H指数：6
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用于无损离子操纵结构的双极性射频电源的研制
《质谱学报》2025年第1期97-105,共9页刘青 许润泽 张允晶 李灵锋 李鹏 
国家自然科学基金(62001318);中央高水平医院临床科研业务费(BJ-2022-095)。
无损离子操纵结构(structures for lossless ion manipulations,SLIM)是一种在特殊背景气体下,利用静电场、射频电场、离子驱动电场共同作用实现对气相离子无损传输的新结构,在物质传输和分离方面有着广阔的应用前景。为了充分发挥SLIM...
关键词：无损离子操纵结构(SLIM) 射频电源 半桥电路 隔离电路 
栅极电阻对SiC MOSFET半桥电路串扰的影响
《半导体技术》2024年第12期1114-1120,共7页杨斌 丁峰 沈成 王孟沙 杨胜蓝 孙鹏 赵志斌 
国网东台市供电公司技术咨询项目(B710A2247AZ0)。
SiC MOSFET广泛应用于高频领域,这使其在半桥电路中极易发生串扰现象。实际情况中,半桥电路上、下桥臂的栅极电阻通常保持一致。然而,现有的串扰研究仅在某一桥臂的栅极电阻为定值的条件下分析另一桥臂中栅极电阻的影响,难以获取实际电...
关键词：串扰 栅极电阻 SiC MOSFET 半桥 安全运行 驱动设计 
一种SiC MOSFET有源串扰抑制驱动电路
《半导体技术》2024年第12期1135-1143,共9页熊泰来 杨亚兰 徐卫刚 毕悦 林轩 曹太强 阳小明 
成都市重点研发支撑计划“揭榜挂帅”项目(2023-JB00-00002-SN);成都市重点研发支撑计划技术创新研发项目(2024-YF08-00016-GX,2024-YF08-00033-GX,2024-YF08-00041-GX,2024-YF08-00136-GX)。
在SiC MOSFET为主开关管的半桥电路中,寄生参数会导致串扰问题,影响电路的工作安全。为了抑制串扰,提出了一种有源串扰抑制驱动电路。在传统无源驱动电路的基础上,增加了辅助MOSFET和快恢复二极管对正向串扰和负向串扰进行抑制,并增加...
关键词：SiC MOSFET 寄生参数 半桥电路 有源驱动 串扰抑制 负压关断 
SiC MOSFET改进关断瞬态模型研究
《中国电机工程学报》2024年第20期8201-8211,I0024,共12页陈月清 袁梦寒 郭希铮 焦健 游小杰 
中央高校基本科研业务费专项资金(科技领军人才团队项目)(2022JBXT006)。
传统碳化硅(silicon carbide,Si C)金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor,MOSFET)关断瞬态模型忽略了在小负载电流或小驱动电阻下Si CMOSFET的沟道关断先于对管Si C肖特基势垒二极管导通的...
关键词：SiCMOSFET 关断瞬态改进模型 半桥电路 关断模式 
基于寄生电感优化的分立器件布局方法研究
《中南民族大学学报（自然科学版）》2024年第4期547-553,共7页张杰 陈怡飞 余柳峰 谢卫冲 江路 
湖北省重点研发计划资助项目(2020BBB084)。
为了探究分立器件与PCB组合形成的半桥电路时采用何种布局方式才能尽最大限度减小线路寄生电感的问题,基于换流回路寄生电感概念,提出了一种经优化的分立器件在PCB上的布局方式,进而减小换流回路的寄生电感,随后通过有限元仿真软件评估...
关键词：分立器件 半桥电路 寄生电感 有限元仿真 
MOS半桥驱动电路中的续流电容和零电压开关设计
《集成电路应用》2024年第1期16-17,共2页陈聪 
阐述MOS半桥驱动电路的原理,分析死区时间和续流电容在MOS半桥驱动电路中的应用,探讨零电压开关技术的在MOS半桥驱动电路中的重要性、零电压开关技术在设计中的基本原则。
关键词：MOS半桥电路 续流电容 零电压开关 
用于GaN半桥驱动的高可靠欠压锁定电路
《电子与封装》2023年第9期41-44,共4页李亮 周德金 黄伟 陈珍海 
智能微系统安徽省工程技术研究中心开放项目(MSZXXM2001);苏州市科技计划(SZS2022015)。
设计了一种用于GaN栅驱动芯片的高可靠欠压锁定电路,该电路能精确响应并输出保护信号以确保电路安全。欠压锁定采用快速响应的差分比较器电路与电阻分压采样,避免了反馈回路开关噪声引起的电路不稳定问题。在欠压锁定电路中加入电源毛...
关键词：半桥电路 欠压锁定 比较器 毛刺检测 
考虑寄生电感的SiC MOSFET半桥电路串扰峰值预测方法
《太阳能学报》2023年第1期16-23,共8页杜明星 边维国 欧阳紫威 
天津市技术创新引导专项基金(20YDTPJC00510)。
针对光伏并网逆变器中的串扰问题,提出一种考虑寄生电感影响的非开尔文封装SiC MOSFET串扰峰值预测算法。以TO-247-3封装SiC MOSFET构成的半桥电路为研究对象,首先分析各个阶段的串扰电压数学模型,并推导串扰电压的微分表达式;其次提出...
关键词：碳化硅 MOSFET 串扰 并网逆变器 寄生电感 半桥电路 
小型电子感应加速器电子枪灯丝电源研制被引量：2
《核技术》2022年第11期37-43,共7页刘琦 王海涛 陈海生 王仁波 
国家自然科学基金(No.12075055);核能开发科研项目(No.20201192);核技术应用教育部工程研究中心开放基金项目(No.HJSJYB2020-4,No.HJSJYB2019-4);江西省自然科学基金项目(No.20202BABL201025)资助。
根据小型电子感应加速器的工作特点,设计了由灯丝占空比调节电路和注入电流反馈电路组成的灯丝电源。通过数字信号处理器(Digital Signal Processor,DSP)输出两路脉冲宽度调制(Pulse-Width Modulation,PWM)信号驱动半桥电路,半桥电路输...
关键词：电子感应加速器 灯丝电源 半桥电路 管壁电流 靶电流 
行波离子迁移谱的行波脉冲电源设计及应用被引量：1
《质谱学报》2022年第5期679-686,I0008,共9页李宏 邓辅龙 郭星 吕炎曈 岳寒露 王如新 杨燕婷 赵忠俊 段忆翔 
四川省重大科学仪器设备专项(2019ZDZX0036)。
基于行波的无损离子操作结构装置(TW-SLIM)是一种新型的可实现复杂气相离子操作的离子漂移管,是行波离子迁移谱(TWIMS)的核心器件,其利用行波脉冲电源提供振荡电场实现离子传输和分离。针对行波无损离子操作结构特性,采用现场可编程逻...
关键词：行波离子迁移谱(TWIMS) 无损离子操作结构 行波脉冲电源 半桥电路 
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