高阻硅

作品数：30被引量：44H指数：4
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相关机构：昆山鸿永微波科技有限公司中国科学院中国工程物理研究院电子工程研究所电子科技大学更多>>
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采用基片集成波导技术的毫米波MEMS环行器
《微纳电子技术》2024年第6期131-137,共7页董建利 李志东 翟晓飞 周嘉 
设计并制备了一款毫米波的微机电系统(MEMS)环行器。该毫米波MEMS环行器芯片采用高阻硅作为衬底,利用基片集成波导(SIW)技术,基于硅基MEMS工艺,采用低损耗金属化技术,实现了硅通孔金属化的制备。采用三维电磁仿真软件进行模拟,设计了该...
关键词：微机电系统(MEMS) 环行器 毫米波 基片集成波导(SIW) 高阻硅 
L波段硅基多层堆叠MEMS耦合器
《微纳电子技术》2024年第6期125-130,共6页汪蔚 李志东 王伟强 周嘉 武亚宵 
基于射频传输理论设计并制备了一款Si基多层堆叠微电子机械系统(MEMS)耦合器。该耦合器以高阻硅作为衬底材料,采用高精度三维MEMS加工工艺制备而成。利用电磁仿真软件进行了建模仿真,并经过金属图形化、硅基通孔(TSV)、晶圆减薄、晶圆...
关键词：微电子机械系统(MEMS) 耦合器 全屏蔽 高阻硅 多层 
X波段Si基片集成脊波导MEMS环行器
《微纳电子技术》2024年第4期156-161,共6页汪蔚 李志东 田松杰 高纬钊 刘博达 
基于波导传输理论设计并制备了一款Si基片集成脊波导(RSIW)微电子机械系统(MEMS)环行器,该环形器以高阻硅作为衬底材料,采用高精度三维MEMS加工工艺制备而成。通过在基片集成波导(SIW)结构中添加脊梁结构,形成RSIW传输结构,使传输主模T...
关键词：微电子机械系统(MEMS) 环行器 基片集成脊波导(RSIW) 高阻硅 脊梁结构 
基于高阻硅超表面结构的太赫兹聚焦透镜设计被引量：2
《光电工程》2022年第7期80-90,共11页马敏 靳琳 秦华 孙建东 陈丽香 孙云飞 
国家自然科学基金面上项目(61975227)。
本文利用亚波长硅圆柱组成的超表面设计了用于太赫兹探测器的聚焦透镜,通过改变硅柱的直径,实现对太赫兹波传输相位0~2π的调控。在1 THz频率下,所设计的单面超表面透镜,太赫兹波电场能量密度提升到入射平面波的32倍。基于工艺制备可行...
关键词：超表面 太赫兹 聚焦 
光电设备红外通道窗口加热技术研究
《光学与光电技术》2022年第3期108-112,共5页江传富 官斌 
光电设备中,红外通道窗口会因结霜、起雾等原因而导致成像模糊,从而影响设备的使用,为解决这一问题,在研究分析了光电设备红外通道窗口加热技术的基础上,给出了在高阻硅基底材料上镀制导电的金属栅条进行加热的解决方法,并开展了试验验...
关键词：红外通道窗口 加热技术 解冰去雾 高阻硅 金属栅条 
高阻硅基GaN晶片上MIS栅结构GaN HEMT射频器件研制被引量：1
《微波学报》2019年第4期16-20,共5页顾子悦 吴灯鹏 程新红 刘晓博 俞跃辉 
上海市科委项目(18511105202,17521106400)
5G通信中3.4~3.6 GHz是主要使用频段。GaN射频器件由于高频、低功耗、高线性度等优势,满足5G通信应用需求。文中在高阻硅基GaN外延片上研制了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT),并分析了金属-绝缘...
关键词：高阻硅 氮化镓射频 金属-绝缘层-半导体栅结构 
两款V波段硅基滤波器的设计与分析
《大众科技》2019年第4期62-64,共3页周泽伦 
文章介绍了两款采用硅基工艺和SIW结构的带通滤波器。滤波器结构采用高阻硅作为衬底材料,通过金属通孔阵列形成微波滤波器谐振腔,输入输出采用共面波导-微带转换结构,易于外部集成,通过探针台可以进行快速测试;同时该滤波器尺寸较小而...
关键词：V波段 滤波器 SIW 高阻硅 
基于高阻硅的毫米波IPD滤波器研究被引量：6
《微波学报》2018年第4期87-90,共4页吕立明 曾荣 方芝清 魏启甫 
国家自然科学基金委员会与中国工程物理研究院联合基金(U1730143)
5G通信迫切需要毫米波集成无源器件（Integrated Passive Device,IPD）,要求该类器件低成本、高性能。基于高阻硅（High Resistivity Silicon,HRS）工艺设计并加工了一款四阶交叉耦合毫米波微带滤波器,基于测试结果和有耗耦合矩阵理论...
关键词：毫米波 微带滤波器 高阻硅 集成无源器件 
基于不同基底材料的太赫兹波极化隔离器特性分析
《微波学报》2018年第A01期282-285,共4页宋崧 王学田 王伟 陈劫尘 
针对太赫兹波极化隔离器的基底材料选择问题,通过建模仿真和实验验证,分析了不同材料对极化隔离器性能的影响,最终选择较好的基底材料来提高极化隔离器的性能,并对其结构尺寸进行了优化。
关键词：太赫兹 极化隔离器 高阻硅 聚四氟乙烯 石英玻璃 
无夹层P型高阻硅外延材料制备研究
《科技视界》2018年第14期79-80,共2页周幸 
P型高阻硅外延片作为制备光电器件的关键支撑材料,对电阻率提出极高要求,单在生长过程中极易出现夹层而影响后续器件性能。本文通过对外延过程中的杂质浓度变化趋势研究,通过分阶段主动控制P型补偿杂质,成功制备了电阻率大于1500cm的P...
关键词：硅外延片 P型高阻 高阻夹层 
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