无夹层P型高阻硅外延材料制备研究  

作　　者：周幸 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,中国天津300220

出　　处：《科技视界》2018年第14期79-80,共2页Science & Technology Vision

摘　　要：P型高阻硅外延片作为制备光电器件的关键支撑材料,对电阻率提出极高要求,单在生长过程中极易出现夹层而影响后续器件性能。本文通过对外延过程中的杂质浓度变化趋势研究,通过分阶段主动控制P型补偿杂质,成功制备了电阻率大于1500cm的P型高阻外延,并避免了高阻夹层的出现。

关 键 词：硅外延片 P型高阻 高阻夹层 

分 类 号：TN305.2[电子电信—物理电子学]