多种栅结构SOI NMOS器件ESD特性研究  

Study of ESD Characteristics on Variable Kinds of Gate Structures in SOI MOS Device

作　　者：何玉娟 罗宏伟 肖庆中 

机构地区：[1]电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室,广州510610

出　　处：《固体电子学研究与进展》2013年第5期501-504,共4页Research & Progress of SSE

基　　金：国家预研项目资助项目(51308040403)

摘　　要：研究了不同栅结构对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现环源结构的SOI NMOS器件抗ESD能力最强,而环栅结构的器件抗ESD能力最弱,其原因可能与器件有缘区面积和电流分布有关。The ESD characteri is studied. It is indicated th （GAS） structure and is the at the stic of gate grounded NMOSFET with different gate structures ability of ESD hardness is the strongest in gate around source weakest in bly related to interested areas and curr enclosed gate structure in SOI NMOSFET. This is proba- ent density.

关 键 词：静电保护 绝缘层上硅 传输线脉冲测试 栅接地N型金属-氧化层-半导体器件 

分 类 号：TN306[电子电信—物理电子学]