汞镉碲

作品数：44被引量：67H指数：4
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HgTe/HgCdTe量子阱中巨大电子Rashba自旋分裂被引量：15
《物理学报》2004年第4期1186-1190,共5页仇志军 桂永胜 疏小舟 戴宁 郭少令 禇君浩 
国家重点基础研究发展规划(批准号 :2 0 0 1GB30 950 6 );国家自然科学基金(批准号:6 0 2 2 1 50 2;1 0 374 0 94 )资助的课题~~
主要研究具有倒置能带结构的n HgTe HgCdTe第三类量子阱Shubnikov deHaas(SdH)振荡中的拍频现象 .发现在量子阱中电子存在强烈的Rashba自旋分裂 ,通过对SdH振荡进行三种不同方法的分析 :SdH振荡对 1 B关系的快速傅里叶变换、SdH振荡中...
关键词：量子阱 Rashba自旋分裂 能带结构 碲化汞 汞镉碲 半导体异质结 
用于高分辨率成像的1500元中波红外和长波红外HgCdTe线列阵(下)
《红外》1999年第11期18-21,共4页J.P.Chamonal 顾聚兴 
2.34 A/W的响应率值对应的探测器量子效率为65％。测量的探测率非常接近背景限性能值,所观察到的退化小于10％,而且基本上是由读出电路的剩余噪声引起的。下表给出了在线列阵上测得的所有性能值。
关键词：汞镉碲 长波 中波 红外线列阵 分辨率 
用于高分辨率成像的1500元中波红外和长波红外HgCdTe线列阵(上)
《红外》1999年第10期1-6,共6页J.P.Chamonal 顾聚兴 
高分辨率红外成像系统需要具有数千个探测器和高性能的甚长扫描列阵。本文介绍这方面的最新技术发展以及LETI/LIR(红外实验室)的1500元HgCdTe线列阵(工作波段为3μm-5μm和8μm-10μm)所达到的光电性能。这些甚长列阵(长度≈50mm)具有...
关键词：分辨率 红外成像系统 汞镉碲 红外列阵 
Hg_(1-x)Cd_xTe光导探测器的电学参量分析
《红外与毫米波学报》1999年第4期317-321,共5页桂永胜 郑国珍 郭少令 蔡毅 褚君浩 汤定元 
国家自然科学基金
测量了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光导探测器中电阻率与温度及磁场强度的关系．在Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａａｓ（ＳｄＨ）测量中，发现了表面电子的浓度在１．２～５５Ｋ的范围内没有变化．一个包括体电子和两类表面电子的三带模型被用...
关键词：光导探测器 电学参量 SdH测定 汞镉碲 
工作在中红外波段的集成双色HgCdTe探测器性能和分子束外延生长
《红外》1999年第6期8-15,共8页R.D.RAJAVEL 贡树行 
第一次报导了HgCdTe双色探测器的性能和它的分子束外延生长材料,这种器件能同时探测4.1μm和4.5μm的辐射。在原位进行掺杂的器件具有n-p-n结构,是由分子束外延技术在(211)BCdZnTe衬底上生长出来的。在X射线摆动曲线极大值的半高处、具...
关键词：红外探测器 分子束外延 汞镉碲 双色探测器 
长的中波红外HgCdTe平接线列阵(下)
《红外》1999年第5期26-29,共4页Jean Paul Chamonal 高国龙 
5.1500元中波红外IRCMOS平接列阵的性能在这一节中,我们给出从一个工作于3μm～5μm波段的1500元平接线列上获得的表征结果。
关键词：中波 红外器件 汞镉碲 平接线列阵 
用分子束外延生长技术来改进HgCdTe材料的特性和重复性(下)
《红外》1999年第5期30-37,共8页D.D.EDWALL 贡树行 
3.5.2,载流子的迁移率图7表示我们用分子束外延技术生长的外延层材料在77K时的电子迁移率与组分的关系,组分对应的波段范围从中波红外一直到超长波红外。长波红外(X=0.23)材料的典型迁移率是大于1×10~5cm^2/V.S。图中的实心线是为了帮...
关键词：载流子 迁移率 汞镉碲 分子束外延生长 
分子束外延HgCdTe材料的光致发光研究被引量：2
《光学学报》1999年第9期1284-1288,共5页姬荣斌 常勇 王善力 杨建荣 何力 
报道了分子束外延生长 Ｈｇ０．６８ Ｃｄ０．３２ Ｔｅ 材料的光致发光测量结果。研究了原生样品和退火处理样品、以及氮离子注入样品的低温光致发光特征。对光致发光的测试结果进行拟合得到的禁带宽度， 与用红外透射谱得到的薄膜禁...
关键词：薄膜 光致发光 分子束外延 汞镉碲 
用分子束外延生长技术来改进HgCdTe材料的特性和重复性(上)
《红外》1999年第4期17-29,共13页D.D.EDWALL 贡树行 
本文介绍我们在利用分子束外延技术生长HgCdTe材料方面对改进材料质量、重复性和柔软性所取得的进展。根据一定的判断标准,对超过100片的n型外延片的载流子浓度和迁移率、晶体缺陷密度和位错密度给出了统计数据和成品率。另外,还给出了...
关键词：分子束外延 汞镉碲 红外焦平面阵 材料质量 
热处理过程中Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe界面互扩散研究被引量：5
《红外与毫米波学报》1999年第2期103-107,共5页巫艳 杨建荣 方维政 王善力 于梅芳 乔怡敏 陈新强 何力 
国家杰出青年基金
对ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ结构热处理后的样品进行深度剥层腐蚀，并用椭偏光谱测量方法，获得了样品在４９０℃经０．５ｈ和２ｈ热处理后不同深度下的组份分布．根据实验结果对Ｚａｎｉｏ等人提出的扩散系数公式进行了修正，...
关键词：异质结 热处理 互扩散 汞镉碲 扩散系数 
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