工作在中红外波段的集成双色HgCdTe探测器性能和分子束外延生长  

作　　者：R.D.RAJAVEL 贡树行 

机构地区：[1]美国加州休斯研究实验室

出　　处：《红外》1999年第6期8-15,共8页Infrared

摘　　要：第一次报导了HgCdTe双色探测器的性能和它的分子束外延生长材料,这种器件能同时探测4.1μm和4.5μm的辐射。在原位进行掺杂的器件具有n-p-n结构,是由分子束外延技术在(211)BCdZnTe衬底上生长出来的。在X射线摆动曲线极大值的半高处、具有全宽度所显示出来的代表性结构是40-60arc-s。在这些结构中,典型的近表面腐蚀坑密度是(4-7)×10~6cm^(-2)。器件是以台面二极管的形式制作的,电极做到两个n型外延层和一个p型外延层上,以便使两个p-n结能同时工作。这种器件的光谱响应特性在两个波段能突然开启和关闭,77K的R_oA>5×~5Ωcm^2。探测器在两个波段的量子效率均>70%。

关 键 词：红外探测器 分子束外延 汞镉碲 双色探测器 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学] TN304.054