HgTe/HgCdTe量子阱中巨大电子Rashba自旋分裂  

Giant Rashba spin splitting in HgTe/HgCdTe quantum wells

作　　者：仇志军[1] 桂永胜[1] 疏小舟[1] 戴宁[1] 郭少令[1] 禇君浩[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083

出　　处：《物理学报》2004年第4期1186-1190,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号 :2 0 0 1GB30 950 6 );国家自然科学基金(批准号:6 0 2 2 1 50 2;1 0 374 0 94 )资助的课题~~

摘　　要：主要研究具有倒置能带结构的n HgTe HgCdTe第三类量子阱Shubnikov deHaas(SdH)振荡中的拍频现象 .发现在量子阱中电子存在强烈的Rashba自旋分裂 ,通过对SdH振荡进行三种不同方法的分析 :SdH振荡对 1 B关系的快速傅里叶变换、SdH振荡中拍频节点分析和对SdH振荡拍频数值拟合 ,得到了完全一致的电子Rashba自旋分裂能量 (2 8— 3 6meV)Giant Rashba spin splitting has been found in n-HgTe/HgCdTe quantum wells with an inverted band structure by studying the beating patterns in Shubnikov_de Haas oscillations. Fast Fourier transformation, node positions, as well as numerical simulations, are used to deduce the Rashba spin-orbit splitting an d result in an excellent agreement in Rashba spin splitting energy (28-36?meV).

关 键 词：量子阱 Rashba自旋分裂 能带结构 碲化汞 汞镉碲 半导体异质结 

分 类 号：O572.2[理学—粒子物理与原子核物理]