用于高分辨率成像的1500元中波红外和长波红外HgCdTe线列阵(上)  

作　　者：J.P.Chamonal 顾聚兴 

机构地区：[1]法国原子能委员会LETI实验室

出　　处：《红外》1999年第10期1-6,共6页Infrared

摘　　要：高分辨率红外成像系统需要具有数千个探测器和高性能的甚长扫描列阵。本文介绍这方面的最新技术发展以及LETI/LIR(红外实验室)的1500元HgCdTe线列阵(工作波段为3μm-5μm和8μm-10μm)所达到的光电性能。这些甚长列阵(长度≈50mm)具有一种间接的混成结构,由对接的HgCdTe光伏探测电路和硅CMOS读出电路构成,后者与一块机械上紧密匹配的输出衬底混成在一起。关系到探测器间距的无缺陷切割和对接是利用精密的无损技术实现的。

关 键 词：分辨率 红外成像系统 汞镉碲 红外列阵 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]