热处理过程中Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe界面互扩散研究  

INTERDIFFUSION IN Hg 1 x Cd x Te STRUCTURE DURING THERMAL ANNEALING

作　　者：巫艳[1] 杨建荣[1] 方维政[1] 王善力[1] 于梅芳[1] 乔怡敏[1] 陈新强[1] 何力[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所半导体薄膜材料研究中心

出　　处：《红外与毫米波学报》1999年第2期103-107,共5页Journal of Infrared and Millimeter Waves

基　　金：国家杰出青年基金

摘　　要：对ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ结构热处理后的样品进行深度剥层腐蚀，并用椭偏光谱测量方法，获得了样品在４９０℃经０．５ｈ和２ｈ热处理后不同深度下的组份分布．根据实验结果对Ｚａｎｉｏ等人提出的扩散系数公式进行了修正，得到４９０℃热处理条件下的组份扩散系数ＤＨｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（４９０℃）＝４×１０－３×１０－３·ｘ．The composition profiles of a HgCdTe/CdTe structure under thermal annealing at 490℃ for 0.5h and 2h, respectively, were obtained by ellipsometry measurements on the step etched surfaces in different depths. The interdiffusion coefficient obtained by Zanio, et al.was modified based on the present results as D Hg 1 x Cd x Te (490℃)=4×10 -3 ×10 -3·x .

关 键 词：异质结 热处理 互扩散 汞镉碲 扩散系数 

分 类 号：TN213[电子电信—物理电子学] TN304.26