赵文魁

作品数：6被引量：12H指数：2
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CMOS运算放大器的辐照和退火行为被引量：7
《Journal of Semiconductors》2004年第6期731-734,共4页任迪远 陆妩 郭旗 余学锋 王明刚 胡浴红 赵文魁 
介绍了CMOS运算放大器电路经电离辐照后 ,在不同偏置及不同退火温度下 ,运放整体性能参数、电路内部单管特性及功能单元电路的节点电流、电压的变化规律 ,分析了引起运放辐照后继续损伤退化的基本原因 .结果显示 ,运放电路辐照后的退火...
关键词：CMOS运算放大器 电离辐射 退火 
不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性被引量：2
《Journal of Semiconductors》2003年第7期780-784,共5页任迪远 陆妩 余学锋 郭旗 张国强 胡浴红 王明刚 赵文魁 
在不同注 F剂量条件下 ,对 P沟和 N沟两种不同差分对输入 CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究 .分析比较了注 F和未注 F运放电路电离辐照响应之间的差异 .结果表明 ,在栅场介质注入适量的 F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界...
关键词：注F CMOS运算放大器 电离辐照 跨导 
CMOS运算放大器电路的辐照损伤分析被引量：1
《核技术》2002年第3期218-222,共5页陆妩 郭旗 任迪远 余学锋 张国强 严荣良 王明刚 胡浴红 赵文魁 
通过分析P沟差分对输入CMOS运放电路内部单管特性、各节点电流、电压及运放整体电路在电离辐射环境中损伤特性的变化 ,探讨了引起运放电特性退化的主要原因。结果显示 ,由于差分对PMOSFET输出特性Ids-Vds的不对称 ,在辐照中引起的镜像...
关键词：CMOS 运算放大器 辐射效应 辐射损伤 单管特性 集成电路 电路 节点电流 节点电压 
深亚微米FD-SOI器件亚阈模型
《Journal of Semiconductors》2001年第7期908-914,共7页程彬杰 邵志标 唐天同 沈文正 赵文魁 
通过对全耗尽 SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似 ,求解亚阈区的二维泊松方程 ,得到全耗尽器件的表面势公式 ;通过引入新的参数 ,对公式进行修正 ,建立深亚微米全耗尽器件的表面势模型 ,能够很好地描述漏感应势垒降低效应 .在...
关键词：FD-SOI器件 亚阈区模型 MOS器件 
栅氧化方式对N沟输入CMOS运算放大器电离辐射效应的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第5期656-659,共4页陆妩 郭旗 任迪远 余学锋 张国强 严荣良 王明刚 胡浴红 赵文魁 
介绍了干氧和氢氧合成两种不同栅氧化方式下制作的 N沟输入 CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特征 .并通过对电路内部单管特性损伤分析的比较 ,探讨了引起两者辐照敏感性差异的原因 .结果显示 ,氢氧合成工艺比干氧工艺损伤明显的原因 ...
关键词：N沟输入CMOS运算放大器 电离辐射效应 栅氧化方式 
TFSOI/CMOS ESD研究被引量：1
《微电子学与计算机》2000年第6期36-39,共4页刘文安 罗来华 赵文魁 沈文正 
文章讨论了 TFSOI/CMOS中 ESD电路与常见体硅 ESD电路的主要区别，详细分析了 ESD电路中各个组成部分对整体性能的影响，成功地研制了抗 2000V静电的 ESD保护电路，指出了进一步提高 TFSOI/CMOS ESD抗静电能力的途径。
关键词：ESD 栅控二极管 TFSOI CMOS 保护电路 
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