林大松

作品数:4被引量:18H指数:3
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发文主题:SIGE_HBTHBT锗化硅反馈调节开关电源更多>>
发文领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>
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SiGe异质结双极晶体管频率特性分析被引量:3
《西安电子科技大学学报》2003年第3期293-297,共5页张鹤鸣 戴显英 吕懿 林大松 胡辉勇 王伟 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(99JS09 1 1DZ0104)
在分析载流子输运和分布的基础上,建立了物理意义清晰的各时间常数模型.模型体现了时间常数与SiGe异质结双极晶体管结构参数及电流密度之间的关系,并且包含了基区扩展效应.同时对特征频率与上述参数之间的关系进行了模拟分析和讨论.
关键词:SIGE异质结双极晶体管 时间常数 特征频率 结构参数 电流密度 基区扩展效应 
SiGe HBT基区渡越时间模型被引量:11
《西安电子科技大学学报》2001年第4期456-461,共6页林大松 张鹤鸣 戴显英 孙建诚 何林 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目 ( 99JS0 9 1 1 DG10 4)
建立了SiGeHBT基区渡越时间模型 .该模型考虑了电流密度及基区掺杂和Ge组分所引起的各种物理效应 ,适用于基区掺杂和Ge组分为均匀和非均匀分布 ,以及器件在小电流到大电流密度下的应用 .模拟结果表明 ,基区集电结边界处载流子浓度引起...
关键词:异质结双极晶体管 锗化硅 HBT 基区渡越时间模型 
Trench MOS Controlled Thyristor
《Journal of Semiconductors》2001年第5期554-557,共4页张鹤鸣 戴显英 张义门 林大松 
A new structure of power MOS-gated thyristor named Trench MOS Controlled Thyristor (TMCT) is presented.The MOSFETs used to turn on and turn off the thrysitor are formed with UMOS technology.No parasitic transistors ex...
关键词:trench MOS THYRISTOR parasitic transistors 
SiGe HBT基区渡越时间与基区Ge组分剖面优化被引量:9
《西安电子科技大学学报》2000年第3期305-308,共4页张鹤鸣 戴显英 林大松 孙建诚 何林 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目!(99JS0 9 1 1 DZ0 1 0 4 )
建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰...
关键词:HBT 组分剖面 基区渡越时间 锗化硅 
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