林大松

作品数：4被引量：18H指数：3
导出分析报告
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文主题：SIGE_HBTHBT锗化硅反馈调节开关电源更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《西安电子科技大学学报》更多>>
所获基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-4
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
SiGe异质结双极晶体管频率特性分析被引量：3
《西安电子科技大学学报》2003年第3期293-297,共5页张鹤鸣 戴显英 吕懿 林大松 胡辉勇 王伟 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(99JS09 1 1DZ0104)
在分析载流子输运和分布的基础上,建立了物理意义清晰的各时间常数模型.模型体现了时间常数与SiGe异质结双极晶体管结构参数及电流密度之间的关系,并且包含了基区扩展效应.同时对特征频率与上述参数之间的关系进行了模拟分析和讨论.
关键词：SIGE异质结双极晶体管 时间常数 特征频率 结构参数 电流密度 基区扩展效应 
SiGe HBT基区渡越时间模型被引量：11
《西安电子科技大学学报》2001年第4期456-461,共6页林大松 张鹤鸣 戴显英 孙建诚 何林 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目 ( 99JS0 9 1 1 DG10 4)
建立了SiGeHBT基区渡越时间模型 .该模型考虑了电流密度及基区掺杂和Ge组分所引起的各种物理效应 ,适用于基区掺杂和Ge组分为均匀和非均匀分布 ,以及器件在小电流到大电流密度下的应用 .模拟结果表明 ,基区集电结边界处载流子浓度引起...
关键词：异质结双极晶体管 锗化硅 HBT 基区渡越时间模型 
Trench MOS Controlled Thyristor
《Journal of Semiconductors》2001年第5期554-557,共4页张鹤鸣 戴显英 张义门 林大松 
A new structure of power MOS-gated thyristor named Trench MOS Controlled Thyristor (TMCT) is presented.The MOSFETs used to turn on and turn off the thrysitor are formed with UMOS technology.No parasitic transistors ex...
关键词：trench MOS THYRISTOR parasitic transistors 
SiGe HBT基区渡越时间与基区Ge组分剖面优化被引量：9
《西安电子科技大学学报》2000年第3期305-308,共4页张鹤鸣 戴显英 林大松 孙建诚 何林 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目!(99JS0 9 1 1 DZ0 1 0 4 )
建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰...
关键词：HBT 组分剖面 基区渡越时间 锗化硅 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部