势垒效应对SiGe HBT基区渡越时间的影响  

Effect of Heterojunction Barrier Effects on Base Transit Time of SiGe HBT

作　　者：李蕊[1] 

机构地区：[1]重庆工学院数理学院,重庆400050

出　　处：《重庆工学院学报》2007年第15期133-135,共3页Journal of Chongqing Institute of Technology

基　　金：重庆工学院科研启动基金资助项目(2005ZD01)

摘　　要：在已有的SiGe HBT基区渡越时间模型的基础上,考虑了势垒效应对其产生的影响以及与基区Ge分布的关系.结果表明:大电流密度下的势垒效应会增大基区渡越时间,基区Ge的不均匀分布并不能完全起到减小基区渡越时间的作用.Based on the known model of the base transit time of SiC, e HBT, the effect of heterojunction barrier effects （HBE） on the base transit time is considered and calculated. The results show HBE induced by high current density can increase the base transit time, and the uneven Ge profile cannot completely decrease the base transit time.

关 键 词：SIGE HBT 基区渡越时间 势垒效应 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]