热电子晶体管

作品数:9被引量:7H指数:2
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石墨烯“打底”我科学家制备出高速晶体管
《云南电力技术》2019年第S02期9-9,共1页
1947年,第一个双极结型晶体管(BJT)诞生于贝尔实验室,引领了人类社会进入信息技术的新时代。过去的几十年里,提高BJT的工作频率一直是人们不懈的追求,异质结双极型晶体管(HBT)和热电子晶体管(HET)等高速器件相继被研究报道。然而,当需...
关键词:热电子晶体管 截止频率 双极结型晶体管 基区渡越时间 BJT 高速器件 贝尔实验室 石墨烯 
半导体量子器件物理讲座 第五讲 弹道输运器件和量子干涉器件被引量:3
《物理》2001年第8期506-510,共5页李国华 
当器件的尺度小到与电子的平均自由程相当时 ,电子的输运可以看作弹道输运 .文章介绍了隧穿热电子晶体管在输运放大器和电子能谱仪两种工作模式下的工作原理以及用共振隧穿热电子晶体管做成的记忆器 .如果器件的尺寸进一步减小 ,电子的...
关键词:弹道输运 热电子晶体管 量子干涉器件 输运放大器 电子能谱仪 记忆器 电子运动 半导体量子器件 
InAs/InP_(0.7)Sb_(0.3)热电子晶体管的f_T及f_(max)
《固体电子学研究与进展》1996年第3期254-258,共5页续竞存 
用电荷控制及热电子弹道运动模型计算InAs/InP0.7Sb0.3热电子晶体管的截止频率fT及最高振荡频率fmax。结果表明,fT、fmax分别达到280GHz及600GHz。并指出,通过生长GaSb中间层,InAs...
关键词:截止频率 最高振荡频率 热电子晶体管 
InAs/InP_(0.7)Sb_(0.3)热电子晶体管的电流增益及最高收集极电压被引量:1
《固体电子学研究与进展》1995年第1期41-44,共4页续竞存 
分析InAs/InP(0.7)Sb(0.3)热电子晶体管的电流增益β及最高收集极电压V(CM)。计算结果表明,β超过20,V(CM)接近1.5V。
关键词:电流增益 收集极电压 热电子晶体管 异质结 
InAs/InP_(0.7)Sb_(0.3)热电子晶体管实现室温工作可能性的讨论被引量:1
《固体电子学研究与进展》1993年第4期333-335,共3页续竞存 
热电子晶体管(HET)是一种有希望的亚毫米波器件,缺点是必须低温工作。从本质上说,HET不能室温工作的关键在于r,L跃迁。因此,热电子能量E_k不能超过r,L能谷差E_('L),再加上热电子不是单一能量,而有一定能量分布E_n,E_n为费米能级进入导...
关键词:热电子晶体管 室温 工作 微波器件 
热电子晶体管及其研究进展
《量子电子学》1993年第2期103-110,共8页郭宝增 
热电子晶体管是依靠热电子携带输入信息,并使之在器件中放大的。这种器件具有工作速度高,使用一个元件就可以完成某种复杂的逻辑功能等优点。本文首先介绍热电子晶体管的基本原理,然后介绍几种重要的热电子晶体管,包括隧道热电子输运放...
关键词:热电子晶体管 晶体管 热电子 
量子电子器件——谐振隧道热电子晶体管(RHET)被引量:1
《半导体情报》1992年第5期7-13,36,共8页张汉三 
RHET是一种新型高速功能器件,在这种器件中,电子谐振隧穿量子阱谐振隧道势垒(RTB)从发射极注入到基极中,然后以准弹道方式传输到收集极。其主要特点是,高速的电荷传输和宽的负微分电阻。本文综述了RHET的研究与进展,并介绍了采用RHET构...
关键词:量子电子学 量子阱 热电子晶体管 
热电子晶体管的截止频率被引量:2
《固体电子学研究与进展》1992年第1期13-16,共4页续竞存 
本文分析了热电子晶体管的截止频率,指出通过合理选择参数,f_T可达到600GHz,是一种有希望的固体亚毫米波源。
关键词:半导体器件与材料 晶体管 热电子 
日本半导体产业的未来
《全球科技经济瞭望》1987年第12期20-21,共2页田兵 
日本半导体产业获高速发展,居世界领先地位是人所共知的。日本东京大学教授田中昭二最近在报刊上发表文章说,目前这种进展势头还将继续,自诩未来世界信息化技术的“主导权”,仍将属于日本。田中说:日本存储器的存储量目前正由256K 向1M...
关键词:半导体技术 半导体元件 世界信息化 大型电子计算机 图像处理 技术水平 射束 热电子晶体管 微型处理机 复合技术 
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