InAs／InP_（0．7）Sb_（0．3）热电子晶体管的f_T及f_（max）  

Cutoff Frequency and Maximum Oscillation Frequency of InAs/InP_(0.7)Sb_(0.3) HET

作　　者：续竞存 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所

出　　处：《固体电子学研究与进展》1996年第3期254-258,共5页Research & Progress of SSE

摘　　要：用电荷控制及热电子弹道运动模型计算ＩｎＡｓ／ＩｎＰ０．７Ｓｂ０．３热电子晶体管的截止频率ｆＴ及最高振荡频率ｆｍａｘ。结果表明，ｆＴ、ｆｍａｘ分别达到２８０ＧＨｚ及６００ＧＨｚ。并指出，通过生长ＧａＳｂ中间层，ＩｎＡｓ／ＩｎＰ０．７Ｓｂ０．３ＨＥＴ可在ＧａＡｓ衬底上实现单片集成。The cutoff frequency fT and maximum oscillation frequency fmax of InAs/lnP0.7Sb0.3 HET have been calculated by combining the charge control and hot electron ballistic motion concepts.The results show that fT and fmax attain 280 GHz and 600 GHz, respectively. It is indicated that InAs/InP0.7Sb0.3 HET may form monolithic iC on GaAs substrate.

关 键 词：截止频率 最高振荡频率 热电子晶体管 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学] TN302