InAs／InP_（0．7）Sb_（0．3）热电子晶体管的电流增益及最高收集极电压  

Current Gain and Maximum Collector Voltage of InAs/InP_(0.7)Sb_(0.3) HET

作　　者：续竞存 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所

出　　处：《固体电子学研究与进展》1995年第1期41-44,共4页Research & Progress of SSE

摘　　要：分析ＩｎＡｓ／ＩｎＰ（０．７）Ｓｂ（０．３）热电子晶体管的电流增益β及最高收集极电压Ｖ（ＣＭ）。计算结果表明，β超过２０，Ｖ（ＣＭ）接近１．５Ｖ。This paper analyses the current gain β and maximum collector voltage VCM of InAs/InP(0.7)Sb(0.3) hot electron transistor. The calculated results showthat β exceeds 20 and VCM is near 1. 5 V.

关 键 词：电流增益 收集极电压 热电子晶体管 异质结 

分 类 号：TN325.3[电子电信—物理电子学]