InAs/InP_(0.7)Sb_(0.3)热电子晶体管实现室温工作可能性的讨论  

作　　者：续竞存 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《固体电子学研究与进展》1993年第4期333-335,共3页Research & Progress of SSE

摘　　要：热电子晶体管(HET)是一种有希望的亚毫米波器件,缺点是必须低温工作。从本质上说,HET不能室温工作的关键在于r,L跃迁。因此,热电子能量E_k不能超过r,L能谷差E_('L),再加上热电子不是单一能量,而有一定能量分布E_n,E_n为费米能级进入导带深度((?)0.2eV)。从而热电子能量范围为E_(rL)≥E_k≥E_(eL)-E_n。以InP/InGaAs HET为例,热电子能量E_K处于0.55eV≥E_k≥0.35eV范围内,热电子要越过收集势垒不被反射,则势垒高度Φ必须低于0.2eV。显然,此时要使越过势垒的热激发电流小于工作点发射极隧道电流的百分之一,必须在液氮温度下工作。 如果HET基区(势阱层)E_(rL)提高到0.8eV,则热电子能量范围提高到0.8eV≥E_K≥0.6eV,Φ可提高到0.4eV,仍可保证大部分热电子越过收集势垒。根据[1]的分析,Φ=0.4eV时,室温下越过收集势垒的热激发电流不大于工作点发射极隧道电流的百分之一,从而实现了室温工作。下面讨论势垒层E_(rL)。势垒层r能谷位置比势阱层抬高△Ec(=φ),因此,势垒层E_(rL)可降低至0.8eV—△E_c=0.4eV,其L能谷位置仍与势阱层L能谷位置持平。

关 键 词：热电子晶体管 室温 工作 微波器件 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]