热电子晶体管及其研究进展  

Hot Electron Transistors and Its Development

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作  者:郭宝增[1] 

机构地区:[1]河北大学电子与信息工程系,保定071002

出  处:《量子电子学》1993年第2期103-110,共8页

摘  要:热电子晶体管是依靠热电子携带输入信息,并使之在器件中放大的。这种器件具有工作速度高,使用一个元件就可以完成某种复杂的逻辑功能等优点。本文首先介绍热电子晶体管的基本原理,然后介绍几种重要的热电子晶体管,包括隧道热电子输运放大(THETA)器件,共振隧道热电子晶体管(RHET)和电荷注入晶体管(CHINT)等。The hot electrons carry the input information to be amplified in hot electrontransistors. The speed of the hot electron transistor is significantly high and theapplication of the hot electron transistor can decrease the number of componentsin integrated circuits. In this paper, firstly we describe the operation principlesand some history of the hot electron transistor. Secondly, we introduce severalkinds of the hot electron transistors, including tunnelling hot electron transferamplifer (THETA) device, resonant tunnelling hot electron transistors (RHET)and charge injection transistors (CHINT).

关 键 词:热电子晶体管 晶体管 热电子 

分 类 号:TN37[电子电信—物理电子学]

 

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