温湿度对制版图形缺陷的影响  

Effects of Temperature and Humidity on Pattern Defect on Photomasks

作　　者：任芳[1] 刘嵘侃[1] 

机构地区：[1]模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060

出　　处：《微电子学》2006年第1期36-37,42,共3页Microelectronics

摘　　要：介绍了制版工艺中常见的缺陷类型,分析了缺陷产生与温湿度的关系。通过实际工作应用,就缺陷控制的办法进行了有益的探讨,对光掩模版的制造有一定的指导意义。Defects commonly seen in the photomask making process are described, and effects of temperature and humidity on these defects are analyzed. Based on applications in actual process, useful discussions are made about defect control methods. It may provides a guidance for photomask manufacturing.

关 键 词：半导体工艺 光掩膜版 缺陷 显影 腐蚀 温湿度 

分 类 号：TN305.6[电子电信—物理电子学]