云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 张晓菊

张晓菊: 作品数：13被引量：17H指数：2; 导出分析报告; 供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>; 发文主题：深亚微米槽栅槽栅ALGAN/GAN槽栅PMOSFETSIGE_HBT更多>>; 发文领域：电子电信理学更多>>; 发文期刊：《西安电子科技大学学报》《电子学报》《微电子学与计算机》《物理学报》更多>>; 所获基金：国防科技技术预先研究基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金国家部委预研基金更多>>

npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析: 《Journal of Semiconductors》2006年第9期1600-1603,共4页龚欣马琳张晓菊张金凤杨燕郝跃; 国家重大基础研究发展规划资助项目(批准号:51327020301)~~; 基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大...; 关键词：GAN 物理模型异质结双极晶体管

A Novel Algorithm to Extract Weighted Critical Area: 《Journal of Semiconductors》2006年第1期24-29,共6页王俊平郝跃张会宁张晓菊任春丽; 国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2003AA1Z1630)~~; inductive fault analysis is a technique for enumerating likely bridges that is limited by the weighted critical area computation. Based on the rectangle model of a real defect and mathematical morphology, an efficient...; 关键词：bridge fault defect rectangle model layout analysis mathematical morphology

基于自对准和空气桥工艺的SiGe HBT研究被引量：1: 《西安电子科技大学学报》2005年第3期432-434,488,共4页刘道广郝跃徐世六李开成刘玉奎刘嵘侃张静胡辉勇李培咸张晓菊徐学良; 国家部委预研支持项目(99JS09.2.2.DZ3401); 采用基区及发射区自对准和空气桥技术,降低了SiGe异质结晶体管器件的基极电阻及集电极和基极之间的结电容,提高了SiGe异质结晶体管器件的最高振荡频率fmax.以分子束外延SiGe材料为基础,研制出了SiGe异质结晶体管器件,取得了fmax为124.2...; 关键词：自对准最高振荡频率 SiGe合金材料

0.1μm槽栅CMOS器件及相关特性: 《Journal of Semiconductors》2005年第3期532-535,共4页张晓菊马晓华任红霞郝跃孙宝刚; 国家自然科学基金(批准号:60376024);中国科学院科技创新基金(批准号:CXJJ 55)资助项目~~; 通过实验成功得到了0 1μm槽栅结构CMOS器件,验证了理论结果的正确性,表明这是一种优良的小尺寸器件结构.该槽栅器件具有阈值电压漂移较小及较好抑制短沟道效应的特点,并分析了目前器件驱动电流较小的原因及解决办法.; 关键词：槽栅结构 CMOS 超深亚微米

深亚微米槽栅PMOS结构对抗热载流子效应的影响被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2005年第1期23-28,113,共7页任红霞张晓菊郝跃; 预研项目 99J8.1.1.DZD13 2;博士点基金资助研究 80 70 110; 基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维仿真软件 MEDICI对深亚微米槽栅 PMOS器件的结构参数 ,如凹槽拐角、负结深、沟道和衬底掺杂浓度对器件抗热载流子特性的影响进行了研究 ,并从器件物理机制上对研究结果进行了解释。研究发现 ,随着...; 关键词：深亚微米槽栅PMOSFET 热载流子效应结构参数

基于干/湿法腐蚀的自对准SiGe HBT器件: 《Journal of Semiconductors》2005年第1期102-105,共4页刘道广郝跃徐世六李开成李培咸张晓菊张金凤郑雪峰张静刘嵘侃刘伦才; 国防预研基金资助项目 (批准号 :99JS0 9.2 .6.DZ3 40 3 )~~; 采用干 /湿法腐蚀相结合技术 ,利用氢氧化钾 (KOH)溶液和六氟化硫 (SF6)对Si及SiGe材料进行腐蚀 ,研究自对准Si/SiGeHBT台面器件 ,获得了fT=4 0GHz ,fmax=12 7; 关键词：自对准 SIGE材料干/湿法腐蚀

施主型界面态引起深亚微米槽栅PMOS特性的退化被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2004年第5期562-567,共6页任红霞张晓菊郝跃; 国防预研基金 (No.99J8.1.1.DZD13 2);博士点基金(No.80 70 110 )资助项目~~; 基于流体动力学能量输运模型 ,对沟道杂质浓度不同的槽栅和平面 PMOSFET中施主型界面态引起的器件特性的退化进行了研究 ,并与受主型界面态的影响进行了对比 .研究结果表明同样浓度的界面态在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面...; 关键词：槽栅PMOSFET 施主界面态密度栅极特性漏极电流驱动能力特性退化

槽栅MOSFET's的阈值电压解析模型被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2004年第4期441-445,共5页张晓菊任红霞冯倩郝跃; 中国科学院科技创新基金 ( No.CXJJ-5 5 );信息产业部电子预研基金 ( No.5 7.7.6.9)资助项目~~; 给出了槽栅 MOSFET的阈值电压解析模型 ,该模型反映了器件的阈值电压随不同结构和工艺参数变化的规律 .分析和对比结果显示 ,该模型较好地表征了小尺寸槽栅器件的阈值电压特性。; 关键词：槽栅 MOSFET 阈值电压解析模型

SiC衬底上外延GaN:Mg材料特性研究被引量：8: 《物理学报》2004年第2期626-630,共5页冯倩郝跃张晓菊刘玉龙; 国家重大基础研究项目 ( 973计划 );国防预研项目 (批准号 :413 0 80 60 10 6)资助的课题~~; 利用扫描电子显微镜、拉曼散射光谱和光致发光谱对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的GaN :Mg薄膜特性进行研究发现 :除了一部分Mg原子替代Ga原子呈现受主性外 ,大部分Mg原子以间隙原子状态 (Mgi)存在 ,并且在缺陷或者位错处大量聚集引起...; 关键词：碳化硅衬底氮化镓:镁材料扫描电子显微镜拉曼散射光谱光致发光谱化合物半导体

槽栅结构对小尺寸MOS器件特性的影响: 《微电子学与计算机》2003年第7期74-77,共4页张晓菊任红霞马晓华郝跃; 中国科学院科技创新基金资助项目(CXJJ-55);信息产业部电子预研基金资助项目(57.7.6.9); 基于流体动力学能量传输模型,研究了深亚微米槽栅结构MOSFET对小尺寸效应的影响,并与相应平面器件的特性进行了比较。研究结果表明,由于栅介质拐角效应的存在,槽栅结构在深亚微米区域能够很好地抑制小尺寸带来的短沟道效应、漏感应势垒...; 关键词：MOSFET 小尺寸效应深亚微米槽栅结构 MOS器件特性

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