SIGE材料

作品数：11被引量：12H指数：3
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基于SiGe材料的热电器件输出性能仿真计算分析
《稀有金属》2024年第3期378-387,共10页赵明 孙陆军 黄望哩 肖尊奇 姜志忠 
国家自然科学基金青年基金项目(2180051117)资助。
近年来,高温热电材料SiGe合金的制备工艺不断优化,其热电优值得到不断提升,作为温差发电器件材料在未来深空探测装备发电应用中展现出巨大的应用价值。基于目前研究发展的SiGe合金,在考虑接触电阻与热阻的基础上,利用ANSYS软件构建了平...
关键词：SIGE 热电器件 数值模拟 输出性能 
应变SiGe量子阱沟道PMOS阈值电压模型研究
《产业与科技论坛》2017年第19期57-58,共2页王颖 
应变SiGe材料具有空穴迁移率高、带隙可调等优点,是延续摩尔定律最有潜力的新技术。本文基于应变SiGe量子阱PMOS器件结构与特点,建立其阈值电压模型,并分析Ge组分、氧化层厚度、Si帽层对应变SiGe量子阱沟道PMOS器件阈值电压的影响,为应...
关键词：应变SiGe材料 阈值电压模型 应变技术 
局部双轴应变SiGe材料的生长与表征
《浙江大学学报（工学版）》2011年第6期1048-1051,共4页李竞春 杨洪东 杨阳 全冯溪 
电子薄膜与集成器件国家重点实验室基金资助项目(D0200401030108 KD0022)
利用分子束外延(MBE)对双轴应变SiGe局部区域外延生长和表征进行了研究.图形窗口边界采用多晶Si侧墙,多层SiGe薄膜分段温度生长.采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线双晶衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和位错密度测试等多种...
关键词：双轴应变SiGe 局部外延 应变度 位错 
SiGe材料的组分表征研究与退火分析被引量：1
《微电子学》2008年第5期660-662,683,共4页冯世娟 李秋俊 田岗纪之 财满镇名 
采用固相扩散法在n-Si(100)衬底上制备了两组退火条件不同的SixGe1-x薄膜。利用椭圆偏振光谱和二次离子质谱技术,对薄膜的厚度及组分分布进行了表征,两者具有较好的一致性。分析了退火对薄膜厚度、组分和应变的影响。成功得到了完全驰...
关键词：SixGe1-x薄膜 椭圆偏振光谱 二次离子质谱 退火 组分分布 
重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响被引量：4
《物理学报》2007年第11期6654-6659,共6页姚飞 薛春来 成步文 王启明 
国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03Z415);国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB302802和2007CB613404);国家自然科学基金(批准号:60336010;60676005)资助的课题.~~
硅锗异质结双极晶体管(SiGeHBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGeHBT的设计具有重要的意义.在应变SiGe材料中,B的重掺杂一方面会因为重掺杂效应使带隙收缩,另一方面,B的引入还会部分补偿Ge引起的应...
关键词：SIGE材料 应变 带隙收缩(BGN) Jain-Roulston模型 
超高真空CVD对锗硅外延材料中锗分布的优化被引量：1
《微电子学》2006年第5期615-617,621,共4页刘佳磊 刘志弘 陈长春 
对自行研制的超高真空化学气相外延设备(RHT/UHV/CVD SGE500)的气路系统进行了改进,使之能够生长出较好的Ge分布图形。利用X射线双晶衍射(DCXRD)和二次离子质谱(SIMS)测试技术,研究并优化了外延生长参量,最终得到了具有优化Ge分布的SiG...
关键词：超高真空化学气相淀积 渐变Ge分布 SIGE材料 
基于干/湿法腐蚀的自对准SiGe HBT器件
《Journal of Semiconductors》2005年第1期102-105,共4页刘道广 郝跃 徐世六 李开成 李培咸 张晓菊 张金凤 郑雪峰 张静 刘嵘侃 刘伦才 
国防预研基金资助项目 (批准号 :99JS0 9.2 .6.DZ3 40 3 )~~
采用干 /湿法腐蚀相结合技术 ,利用氢氧化钾 (KOH)溶液和六氟化硫 (SF6)对Si及SiGe材料进行腐蚀 ,研究自对准Si/SiGeHBT台面器件 ,获得了fT=4 0GHz ,fmax=12 7
关键词：自对准 SIGE材料 干/湿法腐蚀 
SiGe材料及其在双极型器件中的应用被引量：3
《电子与封装》2005年第1期31-35,共5页陈震 吴德馨 
SiGe材料具有很多独特的性质,高性能的应变SiGe外延层能够将能带工程的概念引入到传统的S基材料中去。外延SiGe合金使得在Si基材料上制作性能优异的双极晶体管成为可能。本文回顾了siGe材料和SiGe异质结双极晶体管的最新研究进展,包括...
关键词：SIGE 异质结双极晶体管 微波器件 
低温外延生长应变SiGe材料研究
《电子科技》2004年第4期8-10,共3页黄大鹏 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目 (99JS09.3.1DZ0111;51439010101DZ0101)
采用紫外光能量辅助化学气相淀积(UVCVD)方法,同时结合超高真空化学气相淀积(UHVCVD)及超低压化学气相淀积(ULPCVD)技术,在450℃低温外延生长了应变SiGe/Si材料。讨论了应变SiGe材料的结晶性及生长速率与生长温度和Ge组分的关系,给出了...
关键词：低温外延生长 SIGE材料 化学气相淀积 紫外光 超高真空 
SiGe材料系自组织Ge量子点研究(英文)
《中国科学院研究生院学报》2003年第4期510-516,共7页黄昌俊 王启明 
supportedbythemajorstatebasicresearchprogram(973)(G2 0 0 0 0 3 660 3),"863 "ResearchPlan;andNationalNaturalScienceFoundationofChina(698762 60)
在当今Si基光电子研究中,SiGe材料系自组织Ge量子点是最有希望对Si材料运用能带工程实现人工改性的途径之一。Ge在Si上 4.2 %的晶格失配可以制造大小尺寸不同的纳米结构,还可适应其他多种器件需要。对自组织Ge量子点的形成过程、形貌演...
关键词：GE量子点 Si基光电子 自组织纳米微结构 异质外延生长 
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