阈值电压模型

作品数：19被引量：25H指数：3
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基于半解析法的FinFET三维电势和阈值电压模型
《山东师范大学学报（自然科学版）》2021年第4期381-389,共9页韩名君 代广珍 倪天明 
国家自然科学基金资助项目(61904001);安徽省高校自然基金重点资助项目(KZ20000312);安徽工程大学人才引进资助项目(S022014019);安徽工程大学国家自然科学基金预研资助项目(KZ40000255);国家大学生创新创业训练计划资助项目(202110363047).
随着集成电路工艺进入亚30 nm,鳍形场效应晶体管已经成为主流工艺结构,但是由于计算的复杂性其体硅结构的三维模型未有人给出过明确的解析式.本文提出体硅FinFET中沟道和氧化层的三维亚阈值电势、阈值电压的半解析模型,并考虑量子效应...
关键词：FINFET 半解析法 三维模型 阈值电压 量子效应 
应变SiGe量子阱沟道PMOS阈值电压模型研究
《产业与科技论坛》2017年第19期57-58,共2页王颖 
应变SiGe材料具有空穴迁移率高、带隙可调等优点,是延续摩尔定律最有潜力的新技术。本文基于应变SiGe量子阱PMOS器件结构与特点,建立其阈值电压模型,并分析Ge组分、氧化层厚度、Si帽层对应变SiGe量子阱沟道PMOS器件阈值电压的影响,为应...
关键词：应变SiGe材料 阈值电压模型 应变技术 
双栅无结晶体管阈值电压模型
《太赫兹科学与电子信息学报》2017年第2期313-316,322,共5页杨可萌 李悦 郭羽涵 王超 郭宇锋 刘陈 
教育部博士点基金资助项目(20133223110003);江苏省自然科学基金资助项目(BK20130778);江苏省工业支撑计划资助项目(BE2013130);国家重点实验室基金资助项目(KFJJ201403)
无结晶体管是近年来纳米SOI MOS器件领域的研究热点,相对于传统晶体管具有明显的优势。本文针对全耗尽型无结晶体管,基于二维泊松方程,建立了电势分布解析模型。根据该模型可以得到阈值电压模型。利用建立的解析模型和半导体器件仿真软...
关键词：无结晶体管 双栅 电势分布 阈值电压 
部分耗尽异质环栅场效应晶体管阈值电压模型被引量：1
《西安交通大学学报》2013年第12期50-54,109,共6页李尊朝 罗诚 王闯 苗治聪 张莉丽 
国家自然科学基金资助项目(61176038)
为抑制短沟道效应和解决载流子传输效率低的问题,提出了部分耗尽异质环栅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构(DMSG),并建立了器件的表面电势和阈值电压解析模型。异质环栅由两种具有不同功函数的材料无缝拼接形成,能在沟道中产...
关键词：部分耗尽 异质环栅 金属氧化物半导体场效应晶体管 阈值电压 
表面Ge沟道pMOSFET阈值电压模型
《西安电子科技大学学报》2012年第4期94-97,113,共5页戴显英 李志 张鹤鸣 郝跃 王琳 查冬 王晓晨 付毅初 
国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(6139801-1)
基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论,通过求解泊松方程,建立了表面Ge沟道pMOSFET的阈值电压模型.基于该模型对表面Ge沟道MOSFET器件的沟道长度、栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度、SiGe虚拟衬底中的Ge含量等结构参数以及漏源电...
关键词：阈值电压模型 Ge沟道pMOSFET 漏致势垒降低效应 短沟道效应 
多晶SiGe栅量子阱pMOSFET阈值电压模型被引量：1
《物理学报》2011年第5期789-795,共7页屈江涛 张鹤鸣 王冠宇 王晓艳 胡辉勇 
国家部委项目(批准号:51308040203;9140A08060407DZ0103;6139801)资助的课题~~
本文基于多晶SiGe栅量子阱SiGe pMOSFET器件物理,考虑沟道反型时自由载流子对器件纵向电势的影响,通过求解泊松方程,建立了p+多晶SiGe栅量子阱沟道pMOS阈值电压和表面寄生沟道开启电压模型.应用MATLAB对该器件模型进行了数值分析,讨论...
关键词：多晶SiGe栅 寄生沟道 量子阱沟道 阈值电压 
漏致势垒降低效应对短沟道应变硅金属氧化物半导体场效应管阈值电压的影响
《物理学报》2011年第2期558-564,共7页王晓艳 张鹤鸣 王冠宇 宋建军 秦珊珊 屈江涛 
结合应变硅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解二维泊松方程,得到了应变Si沟道的电势分布,并据此建立了短沟道应变硅NMOSFET的阈值电压模型.依据计算结果,详细分析了弛豫Si1-βGeβ中锗组分β、沟道长度、漏电压、衬底掺杂...
关键词：应变硅金属氧化物半导体场效应管 漏致势垒降低 二维泊松方程 阈值电压模型 
一种围栅金属氧化物半导体场效应管阈值电压模型被引量：2
《西安交通大学学报》2010年第2期77-81,共5页尤一龙 李尊朝 刘林林 徐进朋 
国家自然科学基金资助项目(10771168);陕西省科技计划资助项目(SJ08-ZT13)
针对深亚微米金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)多晶硅耗尽效应加剧问题,提出了一种全耗尽圆柱形围栅MOSFET阈值电压解析模型.通过求解多晶硅耗尽层电势泊松方程,得到多晶硅耗尽层上的压降,用以修正沟道区的通用边界条件.然后利用叠加...
关键词：阈值电压 圆柱形围栅 多晶硅耗尽 表面势 
应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型被引量：5
《物理学报》2009年第7期4948-4952,共5页张志锋 张鹤鸣 胡辉勇 宣荣喜 宋建军 
国家部委预研基金(批准号:51308040203,9140A08060407DZ0103,9140C0905040706)资助的课题~~
在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压与SiGe层掺杂浓度和Ge组分的关系、阈值电压偏移量与SiGe层中Ge组分的...
关键词：应变硅 阈值电压 电势分布 反型层 
二维短沟道MOSFET阈值电压分析模型被引量：3
《半导体技术》2009年第3期254-257,共4页李海霞 毛凌锋 
国家自然科学基金资助项目(60606016)
随着器件尺寸的进一步减小,由量子效应导致的能带分裂对MOSFET中阈值电压特性的影响变得越来越重要。提出了一个包含量子效应(QME)的短沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)分析的阈值电压模型,该模型建立在求解包含量子校正的泊松方程...
关键词：深亚微米半导体器件 解析阈值电压模型 量子机制效应 
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