罗诚

作品数:1被引量:1H指数:1
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供职机构:西安交通大学电子与信息工程学院更多>>
发文主题:场效应晶体管金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压模型阈值电压更多>>
发文领域:电子电信更多>>
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部分耗尽异质环栅场效应晶体管阈值电压模型被引量:1
《西安交通大学学报》2013年第12期50-54,109,共6页李尊朝 罗诚 王闯 苗治聪 张莉丽 
国家自然科学基金资助项目(61176038)
为抑制短沟道效应和解决载流子传输效率低的问题,提出了部分耗尽异质环栅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构(DMSG),并建立了器件的表面电势和阈值电压解析模型。异质环栅由两种具有不同功函数的材料无缝拼接形成,能在沟道中产...
关键词:部分耗尽 异质环栅 金属氧化物半导体场效应晶体管 阈值电压 
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