基于自对准和空气桥工艺的SiGe HBT研究  

Study of the SiGe HBT based on the self-alignment and air-bridge

作　　者：刘道广[1] 郝跃[1] 徐世六[2] 李开成[2] 刘玉奎[2] 刘嵘侃[2] 张静[2] 胡辉勇[1] 李培咸[1] 张晓菊[1] 徐学良[2] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,陕西西安710071 [2]国家模拟集成电路重点实验室

出　　处：《西安电子科技大学学报》2005年第3期432-434,488,共4页Journal of Xidian University

基　　金：国家部委预研支持项目(99JS09.2.2.DZ3401)

摘　　要：采用基区及发射区自对准和空气桥技术,降低了SiGe异质结晶体管器件的基极电阻及集电极和基极之间的结电容,提高了SiGe异质结晶体管器件的最高振荡频率fmax.以分子束外延SiGe材料为基础,研制出了SiGe异质结晶体管器件,取得了fmax为124.2GHz的结果.By using base-emitter self-alignment and air-bridge technology, the base resistance of SiGe heterojunction bipolar transistors(HBT) together with the capacitance between collector and base is reduced; in addition, the maximum oscillation frequency (fmax) is improved. In this paper, SiGe HBT fmax of 124.2 GHz has been obtained based on MBE SiGe materials.

关 键 词：自对准 最高振荡频率 SiGe合金材料 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]