npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析  

Characteristics of npn AlGaN/GaN HBT

作　　者：龚欣[1] 马琳[2] 张晓菊[1] 张金凤[1] 杨燕[1] 郝跃[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071 [2]西安电子科技大学技术物理学院,西安710071

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第9期1600-1603,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重大基础研究发展规划资助项目(批准号:51327020301)~~

摘　　要：基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性,为器件的工艺制造提供了理论指导.A modeling of the minority carrier lifetime and impact ionization coefficients of GaN is presented. Then the simulation of an npn AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistor （HBT） using a drift-diffusion transport model is executed. The turn-on, offset, and saturation voltages of the device are expressed analytically. Simulation results show that the high turn-on, offset, and saturation voltages of the practical device result from the high base sheet resistance and the nonohmic characteristics of the base contact,which are a reference for the device fabrication.

关 键 词：GAN 物理模型 异质结双极晶体管 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]