槽栅PMOSFET

作品数：10被引量：11H指数：2
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深亚微米槽栅PMOS结构对抗热载流子效应的影响被引量：1
《固体电子学研究与进展》2005年第1期23-28,113,共7页任红霞 张晓菊 郝跃 
预研项目 99J8.1.1.DZD13 2;博士点基金资助研究 80 70 110
基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维仿真软件 MEDICI对深亚微米槽栅 PMOS器件的结构参数 ,如凹槽拐角、负结深、沟道和衬底掺杂浓度对器件抗热载流子特性的影响进行了研究 ,并从器件物理机制上对研究结果进行了解释。研究发现 ,随着...
关键词：深亚微米 槽栅PMOSFET 热载流子效应 结构参数 
施主型界面态引起深亚微米槽栅PMOS特性的退化被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第5期562-567,共6页任红霞 张晓菊 郝跃 
国防预研基金 (No.99J8.1.1.DZD13 2);博士点基金(No.80 70 110 )资助项目~~
基于流体动力学能量输运模型 ,对沟道杂质浓度不同的槽栅和平面 PMOSFET中施主型界面态引起的器件特性的退化进行了研究 ,并与受主型界面态的影响进行了对比 .研究结果表明同样浓度的界面态在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面...
关键词：槽栅PMOSFET 施主界面态密度 栅极特性 漏极电流驱动能力 特性退化 
深亚微米槽栅PMOSFET几何结构参数对抗热载流子特性的影响
《电子与信息学报》2002年第6期838-844,共7页任红霞 郝跃 
国家部级基金;高等院校博士点基金
基于流体动力学能量输运模型,利用二维仿真软件Medici对深亚微米槽栅PMOS器件的几何结构参数,如:沟道长度、凹槽拐角、凹槽深度和漏源结深导致的负结深对器件抗热载流子特性的影响进行了研究。并从器件内部物理机理上对研究结果进行了...
关键词：深亚微米 槽栅PMOSFET 热载流子效应 几何结构参数 
深亚微米槽栅PMOSFET短沟道效应的模拟研究
《西安电子科技大学学报》2002年第2期149-152,共4页任红霞 马晓华 郝跃 
国家部委预研基金资助项目 ( 99J8 1 1 DZD132 ) ;高等院校博士点基金资助项目 ( 80 70 110 )
基于流体动力学能量输运模型 ,首先研究了槽栅器件对短沟道效应的抑制作用 ,接着研究了不同衬底和沟道杂质浓度的深亚微米槽栅PMOSFET对短沟道效应抑制的影响 ,同时与相应平面器件的特性进行了对比 .研究结果表明 ,槽栅器件在深亚微米...
关键词：深亚微米 槽栅PMOSFET 短沟道效应 场效应晶体管 
杂质浓度对槽栅PMOSFET抗热载流子特性的影响被引量：2
《固体电子学研究与进展》2002年第2期174-180,共7页任红霞 荆明娥 郝跃 
国防预研基金 (编号 :99J8.1.1.DZD13 2 );高等院校博士点基金资助项目 (编号 :80 70 110 )
基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维仿真软件 Medici研究了深亚微米槽栅 PMOS器件衬底和沟道掺杂浓度对器件抗热载流子特性的影响 ,并从器件内部物理机理上对研究结果进行了解释。研究发现 ,随着沟道杂质浓度的提高 ,器件的抗热载流...
关键词：杂质浓度 槽栅PMOSFET 抗热载流子 深亚微米 P型槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管 拐角效应 
深亚微米槽栅PMOSFET结构参数对其抗热载流子效应和短沟道抑制作用的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第10期1298-1305,共8页任红霞 郝跃 
国防预研基金( 99J8.1.1.DZD132 );高等院校博士点基金 ( 80 70 110 )资助项目~~
基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维仿真软件 Medici对深亚微米槽栅 PMOS器件的结构参数 ,如凹槽拐角、负结深、沟道和衬底掺杂浓度对器件抗热载流子特性和短沟道效应抑制作用的影响进行了研究 .并从器件内部物理机理上对研究结果进...
关键词：深亚微米 槽栅PMOSFET 热载流子效应 短沟道效应 结构参数 场效应晶体管 
凹槽深度与槽栅PMOSFET特性被引量：5
《Journal of Semiconductors》2001年第5期622-628,共7页任红霞 郝跃 
国防科技预先研究项目;国家高等院校博士点基金资助项目&&
基于能量输运模型对由凹槽深度改变引起的负结深的变化对深亚微米槽栅 PMOSFET性能的影响进行了分析 ,对所得结果从器件内部物理机制上进行了讨论 ,最后与由漏源结深变化导致的负结深的改变对器件特性的影响进行了对比 .研究结果表明随...
关键词：深亚微米 槽栅PMOSFET 场效应晶体管 凹槽深度 
施主型界面态引起槽栅PMOSFET性能退化的特征
《Journal of Semiconductors》2001年第5期629-635,共7页任红霞 郝跃 
国防预研基金资助项目! (99J8.1.1.DZD13 2 )&&
基于流体动力学能量输运模型 ,对沟道杂质浓度不同的深亚微米槽栅和平面 PMOSFET中施主型界面态引起的器件特性的退化进行了研究 .研究结果表明同样浓度的界面态密度在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面器件 ,且电子施主界面态...
关键词：槽栅PMOSFET 施主界面态密度 栅极特性 性能退化 
槽栅PMOSFET沟道杂质浓度对其特性影响被引量：1
《西安电子科技大学学报》2001年第1期8-12,56,共6页任红霞 郝跃 
国家部委预研基金资助项目! (99J 1 1 DZD132 )
利用二维器件仿真软件MEDICI,基于动力学能量输运模型对沟道掺杂浓度不同的深亚微米槽栅PMOSFET的特性进行了研究 ,并与相应平面器件的特性进行了对比 .研究发现 ,随着沟道掺杂浓度的提高 ,与平面器件相同 ,槽栅器件的阈值电压提高 ,漏...
关键词：槽栅PMOSFET 沟道杂质浓度 阈值电压 热载流子效应 
新型槽栅PMOSFET热载流子退化机理与抗热载流子效应研究被引量：2
《物理学报》2000年第9期1683-1688,共6页任红霞 郝跃 
国防科技预研基金!(批准号 :99J8.1.1.DZD13 2 );高等学校博士点基金!(批准号:8070110)&&
分析了槽栅器件中的热载流子形成机理 ,发现在三个应力区中 ,中栅压附近热载流子产生概率达到最大 .利用先进的半导体器件二维器件仿真器研究了槽栅和平面PMOSFET的热载流子特性 ,结果表明槽栅器件中热载流子的产生远少于平面器件 ,且...
关键词：槽栅PMOSFET 热载流子退化机理 热载流子效应 
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