抗热载流子

作品数：8被引量：11H指数：2
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相关期刊：《物理学报》《电子学报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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大规模集成电路抗热载流子设计
《电子与封装》2008年第4期25-28,共4页姜立娟 赵峰 唐拓 
文章主要介绍了热载流子效应机理及产生原因,从其机理出发着重介绍了抗热载流子效应的设计方法。影响CMOS电路热载流子效应的因素有:晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输入速率以及晶体管在电路中的位置。通过对这些因素的研究,...
关键词：热载流子 可靠性设计 CMOS集成电路 
CMOS数字电路抗热载流子研究被引量：1
《电子产品可靠性与环境试验》2004年第1期10-14,共5页杜春艳 庄奕琪 罗宏伟 李小明 
电子元器件可靠性及其应用技术国家重点实验室基金(514330301)
介绍了热载流子效应与电路拓扑结构及器件参数之间的关系,并在此基础上提出了基本逻辑门的一些抗热载流子加固方法。通过可靠性模拟软件验证这些方法,为CMOS数字电路提高抗热载流子能力提供了参考。
关键词：热载流子效应 可靠性设计 可靠性模拟 
杂质浓度对槽栅PMOSFET抗热载流子特性的影响被引量：2
《固体电子学研究与进展》2002年第2期174-180,共7页任红霞 荆明娥 郝跃 
国防预研基金 (编号 :99J8.1.1.DZD13 2 );高等院校博士点基金资助项目 (编号 :80 70 110 )
基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维仿真软件 Medici研究了深亚微米槽栅 PMOS器件衬底和沟道掺杂浓度对器件抗热载流子特性的影响 ,并从器件内部物理机理上对研究结果进行了解释。研究发现 ,随着沟道杂质浓度的提高 ,器件的抗热载流...
关键词：杂质浓度 槽栅PMOSFET 抗热载流子 深亚微米 P型槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管 拐角效应 
注F短沟MOSFET的抗热载流子损伤特性
《固体电子学研究与进展》2002年第1期29-31,44,共4页韩德栋 张国强 余学峰 任迪远 
研究了用注 F工艺制作的短沟 MOSFET的热载流子效应。实验结果表明 ,在栅介质中注入适量的 F能够明显地减小由热载流子注入引起的阈电压漂移、跨导退化和输出特性的变化。分析讨论了
关键词：氟 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 热载流子 损伤特性 离子注入 
深亚微米槽栅PMOSFET结构参数对其抗热载流子效应和短沟道抑制作用的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第10期1298-1305,共8页任红霞 郝跃 
国防预研基金( 99J8.1.1.DZD132 );高等院校博士点基金 ( 80 70 110 )资助项目~~
基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维仿真软件 Medici对深亚微米槽栅 PMOS器件的结构参数 ,如凹槽拐角、负结深、沟道和衬底掺杂浓度对器件抗热载流子特性和短沟道效应抑制作用的影响进行了研究 .并从器件内部物理机理上对研究结果进...
关键词：深亚微米 槽栅PMOSFET 热载流子效应 短沟道效应 结构参数 场效应晶体管 
深亚微米槽栅NMOSFET结构参数对其抗热载流子特性的影响被引量：1
《电子学报》2001年第2期160-163,共4页任红霞 郝跃 许冬岗 
国防预研基金! (No.99J8.1 .1 .DZD1 32 )
基于流体动力学能量输运模型和幸运热载流子模型 ,用二维器件仿真软件Medici对深亚微米槽栅NMOSFET的结构参数 ,如沟道长度、槽栅凹槽拐角角度、漏源结深等 ,对器件抗热载流子特性的影响进行了模拟分析 ,并与常规平面器件的相应特性进...
关键词：槽栅NMOSFET 热载流子效应 结构参数 场效应晶体管 
新型槽栅PMOSFET热载流子退化机理与抗热载流子效应研究被引量：2
《物理学报》2000年第9期1683-1688,共6页任红霞 郝跃 
国防科技预研基金!(批准号 :99J8.1.1.DZD13 2 );高等学校博士点基金!(批准号:8070110)&&
分析了槽栅器件中的热载流子形成机理 ,发现在三个应力区中 ,中栅压附近热载流子产生概率达到最大 .利用先进的半导体器件二维器件仿真器研究了槽栅和平面PMOSFET的热载流子特性 ,结果表明槽栅器件中热载流子的产生远少于平面器件 ,且...
关键词：槽栅PMOSFET 热载流子退化机理 热载流子效应 
一种抗热载流子退化效应的新型CMOS电路结构被引量：4
《电子学报》2000年第5期65-67,共3页陈勇 杨谟华 于奇 王向展 李竟春 谢孟贤 
国家自然科学基金资助课题 ;国防预研项目资助课题
本文在分析MOSFET衬底电流原理的基础上 ,提出了一种新型抗热载流子退化效应的CMOS数字电路结构 .即通过在受热载流子退化效应较严重的NMOSFET漏极串联一肖特基二级管 ,来减小其所受电应力 .经SPICE及电路可靠性模拟软件BERT2 .0对倒相...
关键词：MOSFET衬底电流 热载流子效应 CMOS电路结构 
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